[发明专利]有机发光显示装置在审
| 申请号: | 201410720926.8 | 申请日: | 2014-12-02 |
| 公开(公告)号: | CN104681591A | 公开(公告)日: | 2015-06-03 |
| 发明(设计)人: | 金玹奭 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种有机发光显示装置。
背景技术
用于有机发光显示装置的有机发光元件是发光层形成在放置于基板上的两个电极之间的发光元件。
有机发光显示装置根据光发射方向而包括顶部发射法、底部发射法和双发射法。
有机发光显示装置采用使用发射红色、绿色和蓝色光的有机发光元件实现图像的方法,以及使用发射白光的有机发光元件与红色、绿色和蓝色滤色器实现图像的方法。
使用基质-掺质体系可使有机发光显示装置的发光材料的性能最大化。在这种情况下,一个重要因素是从基质到掺质的平稳能量转移。
由偶极相互作用造成的能量转移主要产生于荧光材料,而由电子相互交换造成的能量转移主要产生于磷光材料。然而,如果在磷光材料中产生由偶极相互作用造成的能量转移,那么由于复杂的能量水平使得能量转移不平稳,会产生诸如视角窄以及效率低等问题。因此,需要改进所述问题。
发明内容
本发明旨在提供一种有机发光显示装置,其基本上消除了由于现有技术的限制和缺点所造成的一个或多个问题。
本发明的一个方面涉及提供一种有机发光显示装置,包括形成在于基板上方布置的两个电极之间的发光层,其中所述发光层包括:包括荧光材料的基质和包括磷光材料的掺质,并且由荧光材料的基质形成的基质光致发光(PL)区与一部分由磷光材料的掺质形成掺质紫外(UV)吸收区具有重叠的光谱。
附图说明
附图提供对本发明的进一步理解并且并入说明书而组成说明书的一部分。所述附图示出本发明的实施方式,并且与说明书文字一起用于解释本发明的原理。在附图中:
图1是有机发光显示装置的平面示意图;
图2是示出图1所示的子像素电路的构造的示例图;
图3是示出图1的子像素的横截面的示例图;
图4是示出形成发光层的方法的示图;
图5是使用图4的方法所形成的发光层的横截面的层次图;
图6是示出根据使用磷光掺质来实现的常规显示面板的波长的尖度测量值的曲线图;
图7是示出由于基质和掺质之间的偶极相互作用的能量转移图;
图8是示出根据本发明的一个实施例使用磷光掺质实现的显示面板的波长的尖度测量值的曲线图;
图9是示出比较常规显示面板和根据本发明的实施例的显示面板之间的EL光谱的曲线图;
图10是示出比较常规显示面板和根据本发明的实施例的显示面板之间的视角的曲线图;和
图11是示出根据基质材料的特性的视角之间的差异的曲线图。
具体实施方式
现在详细描述本发明的示例性实施方式,附图中图解了这些实施方式的一些实例。
图1是有机发光显示装置的平面示意图,图2是示出图1所示的子像素电路的构造的示例图,而图3是示出图1的子像素的横截面的示例图。
如图1所示,形成有机发光显示装置的显示面板100包括显示单元AA,该显示单元AA包括形成在第一基板110a上的多个子像素SP。形成在第一基板110a中显示单元AA被第二基板110b密封。
驱动单元30形成在第一基板110a上并且被配置成驱动包括在显示单元AA中的多个子像素SP。驱动单元30可包括配置为向所述多个子像素SP提供数据信号的数据驱动单元和配置为提供扫描信号的扫描驱动单元。在这种情况下,扫描驱动单元可与数据驱动单元分离,并且可以以GIP形式形成在显示单元AA的外围。
如图2所示,子像素SP可包括开关薄膜晶体管T1、电容器Cst、驱动薄膜晶体管T2以及有机发光二极管(OLED),开关薄膜晶体管T1配置为响应于扫描线Sn提供的扫描信号,传输通过数据线Dm提供的数据信号,电容器Cst配置为存储数据信号,驱动薄膜晶体管T2配置为生成与存储在电容器Cst中的数据信号和第一电源电压VDD之间的差值相对应的驱动电流,以及有机发光二极管(OLED)配置为发射与驱动电流相应的光。
开关薄膜晶体管T1、电容器Cst和驱动薄膜晶体管T2可以被定义为一个晶体管单元。晶体管单元被示出为2T(晶体管)1C(电容器),其包括两个薄膜晶体管和单一电容器。在一些实施例中,晶体管单元可以被配置为包括N(N是2以上的整数)个薄膜晶体管和M(M是2以上的整数)个电容器以补偿阈值电压,等等。在图2中,VSS为第二电源电压,即接地电压或更低。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





