[发明专利]在衬底上制备多级台阶的方法

权利要求书

1.一种在衬底上制备多级台阶的方法，包括以下步骤：

1)在衬底上生长掩膜层；

2)旋涂第一层光刻胶，采用常规光刻工艺进行光刻，通过干法刻蚀在掩膜层上得到第一沟槽；

3)去除残余的光刻胶，在第一沟槽内的掩膜层上旋涂第二层光刻胶，采用常规光刻工艺进行第二次光刻，通过干法刻蚀在掩膜层得到第二沟槽，第二沟槽嵌套在第一沟槽内；

4)依据所需的台阶级数重复上述光刻和刻蚀的步骤，在第二沟槽内的掩膜层上依次得到多个刻蚀沟槽，其中每一沟槽的宽度逐级缩小，下一级沟槽嵌套在上一级沟槽之内，在掩膜层上形成多级掩膜台阶，最后一个沟槽直接刻蚀到衬底的表面；

5)去除最后一次刻蚀掩膜的残余光刻胶，采用干法刻蚀技术刻蚀衬底，以掩膜层上的多级台阶为掩膜，一次性将掩膜层上的图形转移到衬底上，采用湿法腐蚀的方法去除残余的掩膜层，完成衬底上的多级台阶制备。

2.如权利要求1所述的在衬底上制备多级台阶的方法，其中衬底的材料为硅、碳化硅或氮化镓。

3.如权利要求1所述的在衬底上制备多级台阶的方法，其中掩膜层的材料为二氧化硅、氮化硅或金属。

4.如权利要求1所述的在衬底上制备多级台阶的方法，其中每一级掩膜沟槽的深度为10nm-10μm。