[发明专利]一种底栅型薄膜晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201410720641.4 | 申请日： | 2014-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN105720105A | 公开（公告）日： | 2016-06-29 |
| 发明（设计）人： | 向长江 | 申请（专利权）人： | 昆山国显光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 彭秀丽 |
| 地址： | 215300 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 底栅型 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
1.一种底栅型薄膜晶体管，包括基板(1)，依次在基板上形成栅极层(2)、栅极绝缘层(3)、多晶硅半导体层(4)和源/漏电极层(6)，其特征在于，所述基板(1)设置有凹陷部，所述栅极层(2)形成在所述凹陷部内，所述栅极层(2)与所述栅极绝缘层(3)的接触面与所述基板的上表面齐平。
2.根据权利要求1或2所述底栅型薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极层(2)选自铜、铝、钼、钛、铟锡氧化物、铟锌氧化物、掺杂多晶硅中的一种或多种材料的堆叠结构层。
3.根据权利要求3所述底栅型薄膜晶体管，其特征在于，所述多晶硅半导体层(4)上还设置有钝化层(5)。
4.一种底栅型薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、在基板(1)上刻蚀形成栅极图形样的凹陷部；
S2、在所述凹陷部内沉积栅极层(2)，并去除基板(1)表面的栅极层(2)，以使所述栅极层(2)的上表面与所述基板(1)上表面齐平；
S3、在步骤S2的基础上依次形成覆盖栅极层(2)的栅极绝缘层(3)和非晶硅半导体层；
S4、对非晶硅半导体层进行准分子激光晶化，非晶硅半导体层转变为多晶硅半导体层(4)；
S5、在所述多晶硅半导体层(4)上形成与多晶硅半导体层(4)的源区和漏区连接的源漏极层(6)。
5.根据权利要求4所述底栅型薄膜晶体管，其特征在于，所述步骤S2是通过化学或物理气相沉积法将所述栅极层(2)沉积在所述凹陷部内。
6.根据权利要求4所述薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中采用湿法刻蚀去除基板(1)表面的栅极层(2)。
7.根据权利要求5或6所述薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤S4和S5之间还包括在所述多晶硅半导体层(4)上形成覆盖所述多晶硅半导体层(4)的钝化层(5)，所述源漏极层(6)通过所述钝化层(5)上的过孔与所述多晶硅半导体层(4)的源区和漏区连接。
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