[发明专利]动态随机存取存储器

说明书

本发明提供一种动态随机存取存储器，包括基板、位于基板内的埋入式字线和有源区、位线与电容器。上述有源区的长边方向与位线的延伸方向呈现锐角θ，且位线位于基板上横跨埋入式字线。每一条埋入式字线会将排列在同一列的有源区划分为两个接触区，且每一条位线电性连接每一条埋入式字线两侧邻接的接触区。电容器则设置在位线之间，且每一个电容器电性连接每一条埋入式字线两侧邻接的接触区。因此，在每一个有源区中，其中一个接触区电性连接一个电容器，另一个接触区则电性连接一条位线。

技术领域

本发明涉及一种动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，简称DRAM)，且特别涉及一种能缩小元件面积的动态随机存取存储器。

背景技术

为提升动态随机存取存储器的集成度、加快元件的操作速度、以及符合消费者对于小型化电子装置的需求，近年来发展出埋入式字线动态随机存取存储器(buried wordline DRAM)，以满足上述种种需求。

举例来说，目前已有针对缩减元件面积，发展通过彼此互不相同的延伸方向的字线、有源区与位线，设计的埋入式字线动态随机存取存储器。

然而，上述动态随机存取存储器仍然有缩减空间，且间距愈来愈小的线路也会导致操作元件时，元件之间产生干扰的问题。

发明内容

本发明提供一种动态随机存取存储器，可大幅缩减元件面积并有效减少元件间的干扰问题。

本发明的一种动态随机存取存储器，包括基板、埋入式字线、有源区、位线与电容器。埋入式字线位于基板内，上述有源区的长边方向与位线的延伸方向呈现锐角θ，且位线则位于基板上横跨埋入式字线。每一条埋入式字线会将排列在同一列的有源区划分为两个接触区，且每一条位线电性连接每一条埋入式字线两侧邻接的接触区。电容器则设置在位线之间，且每一个电容器电性连接每一条埋入式字线两侧邻接的接触区。因此，在每一个有源区中，其中一个接触区电性连接一个电容器，另一个接触区则电性连接一条位线。

在本发明的一实施例中，上述锐角θ例如在15°～50°之间。

在本发明的一实施例中，上述动态随机存取存储器还可包括数个绝缘结构，位于埋入式字线之间。

在本发明的一实施例中，上述动态随机存取存储器还可包括数个电容器接触窗，位于电容器与接触区之间。

在本发明的一实施例中，上述动态随机存取存储器还可包括数个位线接触窗，位于位线与接触区之间。

在本发明的一实施例中，在上述位线的延伸方向上，位线接触窗之间的距离大于所述埋入式字线的线宽。

在本发明的一实施例中，在上述位线的延伸方向上，位线接触窗之间的距离小于所述埋入式字线的距离。

在本发明的一实施例中，上述埋入式字线与上述位线互相垂直。

基于上述，本发明将元件布局设计成单一有源区内的一个接触区电性连接至电容器、单一有源区内的另一个接触区电性连接至位线，来大幅缩减元件面积。另外，排列成列的有源区不容易干扰隔壁列的有源区，所以在元件操作上并不会因面积缩减而有不良影响。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1是依照本发明的一实施例的一种动态随机存取存储器的布局示意图；

图2是图1的II-II线段的剖面示意图；

图3是图1的III-III线段的剖面示意图。

附图标记说明：

100：基板；

102：埋入式字线；