[发明专利]半导体感测装置及制作方法

权利要求书

1.一种半导体感测装置，其特征在于，包括：

纳米线导电层，包括多个相连的导电纳米线，其中该些导电纳米线之间形成间隙；

半导体感测层，电性连接该纳米线导电层；以及

导电层，电性连接该半导体感测层，其中该半导体感测层配置于该纳米线导电层与该导电层之间。

2.根据权利要求1项所述的半导体感测装置，其特征在于，该半导体感测层的材料包括有机半导体材料。

3.根据权利要求1项所述的半导体感测装置，其特征在于，该半导体感测层的材料包括无机半导体材料。

4.根据权利要求1项所述的半导体感测装置，其特征在于，还包括基板，电性连接该半导体感测层的该导电层配置于该半导体感测层及该基板之间。

5.根据权利要求4项所述的半导体感测装置，其特征在于，还包括介电层，配置于该半导体感测层及该导电层之间以及该半导体感测层及该基板之间，其中该导电层覆盖部分该基板，该介电层覆盖部分该导电层及部分该基板，该半导体感测层覆盖该介电层及该介电层所暴露的部分该导电层，该纳米线导电层配置于该半导体感测层上。

6.根据权利要求1项所述的半导体感测装置，其特征在于，该些导电纳米线散乱地相连而形成该纳米线导电层。

7.根据权利要求1项所述的半导体感测装置，其特征在于，该半导体感测层的材料包括氧化铟镓锌、二氧化锡、氧化锌、氧化铁或其组合。

8.根据权利要求1项所述的半导体感测装置，其特征在于，该半导体感测层包括多个半导体感测柱，该些半导体感测柱从靠近该导电层的一侧往靠近该纳米线导电层的一侧延伸。

9.一种半导体感测装置的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上形成导电层；

形成半导体感测层，该半导体感测层至少覆盖部分该导电层；以及

利用滴镀法在该半导体感测层上形成纳米线导电层，其中该纳米线导电层包括多个相连的导电纳米线，且该些导电纳米线之间形成间隙。

10.根据权利要求9项所述的半导体感测装置的制作方法，其特征在于，该半导体感测层的材料包括有机半导体材料。

11.根据权利要求9项所述的半导体感测装置的制作方法，其特征在于，该半导体感测层的材料包括无机半导体材料。

12.根据权利要求9项所述的半导体感测装置的制作方法，其特征在于，该在该基板上形成该导电层的步骤之后，还包括：

在部分该导电层及该导电层所暴露的该基板上形成介电层。

13.根据权利要求12项所述的半导体感测装置的制作方法，其特征在于，该形成该半导体感测层的步骤后，该半导体感测层还覆盖该介电层。

14.根据权利要求9项所述的半导体感测装置的制作方法，其特征在于，该纳米线导电层包括多个导电纳米线，该些导电纳米线散乱相连而形成该纳米线导电层。

15.根据权利要求9项所述的半导体感测装置的制作方法，其特征在于，该半导体感测层包括多个半导体感测柱，该些半导体感测柱从靠近该导电层的一侧往靠近该纳米线导电层的一侧延伸。

16.根据权利要求9项所述的半导体感测装置的制作方法，其特征在于，该半导体感测层的材料包括氧化铟镓锌、二氧化锡、氧化锌、氧化铁或其组合。