[发明专利]显示装置及其制造方法在审
| 申请号: | 201410718082.3 | 申请日: | 2014-12-01 |
| 公开(公告)号: | CN104393022A | 公开(公告)日: | 2015-03-04 |
| 发明(设计)人: | 蔡志鸿;吕学兴 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;尚群 |
| 地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种显示装置,其特征在于,包括:
一基板,具有一显示区以及设置于该显示区至少一侧的一周边区,该周边区内具有一外部信号接合区域;
多个像素单元,阵列排列于该基板的该显示区上;
多条信号线,位于该外部信号接合区域与该显示区之间,其中该多条信号线电性连接该多个像素单元;
一阻挡层,至少位于部分该多条信号线上方;以及
一盖板,与该基板对向设置,该盖板覆盖该多个像素单元且暴露该外部信号接合区域。
2.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,该阻挡层用以吸收激光,该激光的波长为380nm以下。
3.如权利要求2所述的显示装置,其特征在于,该阻挡层阻挡能量为100mJ/cm2以上的该激光。
4.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,该阻挡层包括硅、亚克力树脂、聚酰亚胺树脂、金属、金属氧化物、金属堆叠层、或金属以及金属氧化物的堆叠层。
5.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,还包括多个接合垫,设置于该外部信号接合区域,其中该多条信号线电性连接该多个接合垫与该多个像素单元。
6.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,该阻挡层设置于邻近该盖板的一侧边,并与至少部分该多条信号线相交。
7.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,该盖板的一侧边与该阻挡层至少部分重叠。
8.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,该基板或该盖板为软性基板。
9.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,每一像素单元包括:
一主动元件;
一第一电极层,与该主动元件电性连接;
一发光层,位于该第一电极层上;以及
一第二电极层,覆盖该发光层。
10.一种显示装置的制造方法,其特征在于,包括:
提供一上板,其中该上板包括:
一第一硬质基板;以及
一第一基板,配置于该第一硬质基板上,该第一基板具有一预切割线;
提供一下板,其中该下板包括:
一第二硬质基板;
一第二基板,配置于该第二硬质基板上,该第二基板具有一显示区以及设置于该显示区至少一侧的一周边区,该周边区内具有一外部信号接合区域;
多个像素单元,阵列排列于该第二基板的该显示区上;
多条信号线,位于该外部信号接合区域与该显示区之间,并且电性连接该多个像素单元;以及
一阻挡层,至少位于部分该多条信号线上方;
进行一接合工序,以使得该上板与该下板接合对组在一起,其中该预切割线与该阻挡层在一垂直投影方向上至少部分重叠;以及
进行一第一剥离工序,以使得该第一硬质基板与该第一基板分离。
11.如权利要求10所述的显示装置的制造方法,其特征在于,该阻挡层吸收激光,该激光的波长为380nm以下。
12.如权利要求11所述的显示装置的制造方法,其特征在于,该阻挡层阻挡能量为100mJ/cm2以上的该激光。
13.如权利要求10所述的显示装置的制造方法,其特征在于,该阻挡层包括硅、亚克力树脂、聚酰亚胺树脂、金属、金属氧化物、金属堆叠层、或金属以及金属氧化物的堆叠层。
14.如权利要求10所述的显示装置的制造方法,其特征在于,还包括在进行该接合工序之前,依据该预切割线对该第一基板进行一切割工序,以于该第一基板中形成一切口,该切口暴露出该第一硬质基板且使得该第一基板区分成一盖板部以及一牺牲部。
15.如权利要求14所述的显示装置的制造方法,其特征在于,进行该第一剥离工序,以使得该第一硬质基板与该第一基板的该盖板部分离而形成一盖板,该盖板覆盖该多条像素单元且暴露该外部信号接合区域。
16.如权利要求10所述的显示装置的制造方法,其特征在于,还包括在进行该第一剥离工序之后,经由该预切割线对该第一基板进行一切割工序,以形成一盖板,其中该盖板覆盖该多个像素单元且暴露该外部信号连接区。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





