[发明专利]二硒化钴微/纳米三维多级结构材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201410713046.8 | 申请日： | 2014-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN104495760A | 公开（公告）日： | 2015-04-08 |
| 发明（设计）人： | 张捷;车仁超 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04;B82Y30/00;H05K9/00 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 200433*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二硒化钴微 纳米 三维 多级 结构 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【权利要求书】：
1. 一种CoSe2微/纳米三维多级材料的制备方法，其特征在于具体步骤为：
（1）CoSe2三维多级结构的溶剂热合成：
将0.22~0.28 g四水合醋酸钴Co(CH3COO)2·4H2O和0.53~0.57 g十六烷基三甲基溴化铵加入到11±0.5 mL的去离子水中，在40~50 ℃下搅拌25-40 min，直至完全溶解；
然后，将26±0.5 mL的二乙烯基三胺加入上述溶液中，继续搅拌25~35 min，形成均一的混合溶液；
之后，将0.11~0.12 g的SeO2溶解在2±0.2 mL的去离子水中，缓慢滴加到上述混合溶液中，控制滴加速度为8~15秒/滴；滴加完毕后，继续搅拌15~25 min；将溶液倒入的水热釜中，加热至160~200 ℃，反应16±0.5 h；反应温度的不同阶段，得到的CoSe2比表面积和微纳结构及尺寸不同；
（2）产物的纯化和后处理：
待水热釜冷却后，将黑色的CoSe2产物离心分离，用去离子水和无水乙醇洗涤数次，离心分离，在55~65 ℃的真空烘箱中烘干。
2. 由权利要求1所述制备方法制备得到的CoSe2微/纳米三维多级材料，呈毛线团状，并随反应温度的不同，具有不同的比表面积和微纳结构及尺寸。
3. 如权利要求2所述的CoSe2微/纳米三维多级材料在微波吸收和电磁屏蔽中的应用。
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