[发明专利]薄膜晶体管基板及其制作方法

说明书

本发明涉及一种薄膜晶体管基板及其制作方法。本发明的薄膜晶体管基板，其包括一基底、设置于该基底上的一栅极、覆盖该栅极及该基板的一栅极绝缘层、设置于该栅极绝缘层上且对应于该栅极上方的一有源层、一蚀刻阻挡层、位于该蚀刻阻挡层上的一源极与一漏极及覆盖该薄膜晶体管的一钝化层，该蚀刻阻挡层覆盖该有源层及该栅极绝缘层。本发明的薄膜晶体管，位于该有源层上方的该蚀刻阻挡层的厚度小于该蚀刻阻挡层其它位置的厚度，这样可以降低薄膜晶体管基板的地形高度并减少破膜的问题。

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管基板及其制作方法。

背景技术

显示器现已广泛应用于各个显示领域，如家庭、公共场所、办公场及个人电子相关产品等。由氧化锌、氧化铟镓锌(IGZO)等构成的金属氧化物半导体作为薄膜晶体管的有源层材料，由于其高迁移率，低沉积温度以及透明的光学特性被视为下一代的显示技术。

在金属氧化物薄膜晶体管基板的制作过程中，为避免破膜等問題，蚀刻阻挡层整体的厚度不能太薄，然而，有源层上方的蚀刻阻挡层厚度较大又会导致TFT地形太高，可能导致基板表面不平整而易出现mura等现象。

发明内容

为解决上述蚀刻阻挡层厚度导致的破膜、基板表面不平整的技术问题，有必要提供一种可改善破膜、基板表面不平整的技术问题的薄膜晶体管及其制作方法。

一种薄膜晶体管基板。该薄膜晶体管基板包括基底、设置于该基底上的栅极、覆盖该栅极及该基板的栅极绝缘层、设置于该栅极绝缘层上且对应于该栅极上方的有源层、蚀刻阻挡层、位于该蚀刻阻挡层上的源极与漏极、及覆盖该薄膜晶体管的一钝化层，该蚀刻阻挡层覆盖该有源层及该栅极绝缘层，该蚀刻阻挡层包括第一部分及第二部分，该第一部分位于该有源层的上方，该第二部分位于该第一部分的至少一侧，并设置于该栅极绝缘层上，该第一部分的厚度小于该第二部分的厚度。

一种薄膜晶体管基板的制作方法,其包括如下步骤：

提供一基底，并在该基底上形成一栅极；

形成一栅极绝缘层以覆盖该基板和该栅极；

在该栅极绝缘层上形成一有源层并图案化该有源层，使该有源层正对该栅极的位置；

形成覆盖该栅极绝缘层和该有源层的蚀刻阻挡层；

对该蚀刻阻挡层进行蚀刻，使该蚀刻阻挡层形成位于该有源层上方且完全覆盖该有源层的第一部分，及位于该第一部分的至少一边的第二部分，该第二部分设置于该栅极绝缘层上，该第一部分的厚度小于该第二部分的厚度；

于图案化后的该蚀刻阻挡层上形成源极、漏极及钝化层。

相较于现有技术，本发明所提供的薄膜晶体管基板及其制作方法，使用灰阶掩膜蚀刻该蚀刻阻挡层，使位于该有源层上方的该蚀刻阻挡层的厚度小于该蚀刻阻挡层其它位置的厚度，这样可以降低薄膜晶体管基板的地形高度并减少破膜的问题。

附图说明

图1是本发明具体实施方式薄膜晶体管基板的结构示意图。

图2是本发明具体实施方式薄膜晶体管基板的制作方法的流程图。

图3至图14是本发明具体实施方式薄膜晶体管基板的制作方法各部流程的剖视图。

主要元件符号说明

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

如图1所示，为本发明具体实施方式所提供的薄膜晶体管基板10。该薄膜晶体管基板10包括基底11、栅极12、栅极绝缘层13、有源层14、蚀刻阻挡层15、源极16、漏极17、钝化层18及电极层19。