[发明专利]一种倒装LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种倒装LED芯片制作方法，包括：

提供一衬底，所述衬底包括第一区域、第二区域及所述第一区域和第二区域之间的第三区域；

在所述衬底的所有区域上形成外延层，所述外延层包括依次形成于所述衬底上的N型半导体层、有源层和P型半导体层；

在所述外延层中形成若干阵列排布的凹槽和凹槽通道，所述凹槽和凹槽通道暴露出N型半导体层，所述若干阵列排布的凹槽中同一行上的凹槽通过凹槽通道连通；

在所述P型半导体层的预定区域上形成阻挡层，并同步在每个凹槽和凹槽通道的侧壁上形成保护层；

在所述阻挡层上及凹槽和凹槽通道中形成接触层，所述接触层暴露所述保护层；

在所述接触层及保护层上形成DBR反射层，所述第一区域上的DBR反射层中形成有第一通孔，所述第一通孔暴露所述阻挡层上的接触层，所述第二区域上的DBR反射层中形成有第二通孔，所述第二通孔暴露所述凹槽中的接触层；

在所述DBR反射层上以及第一通孔和第二通孔中形成金属功能层，所述金属功能层包括位于所述第一区域上的第一金属功能层及位于所述第二区域上的第二金属功能层，所述第一金属功能层与第二金属功能层之间具有一与第三区域相对应的间隙；

提供一倒装基板，所述倒装基板包括第一基板、第二基板、设置于第一基板和第二基板之间用以绝缘隔离所述第一基板和第二基板的绝缘隔离固定板、设置于第一基板上的第一焊盘及设置于第二基板上的第二焊盘；以及

将所述衬底倒装焊接于所述倒装基板上，所述第一金属功能层对应于所述第一基板，所述第二金属功能层对应于所述第二基板，所述缘隔离固定板插入所述第一金属功能层与第二金属功能层之间的间隙中，形成倒装LED芯片。

2.如权利要求1所述的倒装LED芯片制作方法，其特征在于，所述保护层还延伸至所述P型半导体层的边缘。

3.如权利要求1或2所述的倒装LED芯片制作方法，其特征在于，所述阻挡层和保护层的材料为二氧化硅，所述接触层的材料为ITO。

4.如权利要求1或2所述的倒装LED芯片制作方法，其特征在于，所述DBR反射层为SiO、SiO2、TiO2、Ti3O5氧化物材料中的至少两种，按照λ/4n厚度交替生长所形成，生长周期为3-20个。

5.如权利要求1或2所述的倒装LED芯片制作方法，其特征在于，所述第一金属功能层和第二金属功能层均包括层叠设置的金属接触层、金属阻障层和金属电极层，所述金属接触层的材料为铬或镍，所述金属阻障层的材料为钛或镍，所述金属电极层的材料为铝。

6.一种倒装LED芯片，包括：

衬底，所述衬底包括第一区域、第二区域及所述第一区域和第二区域之间的第三区域；

形成于所述衬底的所有区域上的外延层，所述外延层包括依次形成于所述衬底上的N型半导体层、有源层和P型半导体层；

形成于所述外延层中的若干阵列排布的凹槽和凹槽通道，所述凹槽和凹槽通道暴露出所述N型半导体层，所述若干阵列排布的凹槽中同一行上的凹槽通过凹槽通道连通；

形成于所述P型半导体层的预定区域上的阻挡层；

形成于所述凹槽和凹槽通道侧壁上的保护层；

形成于所述阻挡层、凹槽和凹槽通道中的接触层，所述接触层暴露保护层；

形成于所述接触层及保护层上的DBR反射层，所述第一区域上的DBR反射层中形成有第一通孔，所述第一通孔暴露所述阻挡层上的接触层，所述第二区域上的DBR反射层中形成有第二通孔，所述第二通孔暴露凹槽中的接触层；

形成于DBR反射层上及第一通孔和第二通孔中的金属功能层，所述金属功能层包括位于所述第一区域上的第一金属功能层及位于所述第二区域上的第二金属功能层，所述第一金属功能层与第二金属功能层之间具有一与第三区域相对应的间隙；以及

与所述衬底倒装焊接的倒装基板，所述倒装基板包括第一基板、第二基板、设置于第一基板和第二基板之间用以绝缘隔离所述第一基板和第二基板的绝缘隔离固定板、设置于第一基板上的第一焊盘及设置于第二基板上的第二焊盘，所述第一金属功能层对应于所述第一基板，所述第二金属功能层对应于所述第二基板，所述缘隔离固定板插入所述第一金属功能层与第二金属功能层之间的间隙。

7.如权利要求6所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述保护层还延伸至所述P型半导体层的边缘。