[发明专利]含锗鳍与化合物半导体鳍的集成

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

环形化合物半导体鳍，其包含化合物半导体材料并且位于绝缘体层上；以及

含锗半导体材料部的对，其与所述环形化合物半导体鳍的横向半导体鳍部的对的内侧壁以及所述环形化合物半导体鳍的纵长半导体鳍部的对的内侧壁的两端部接触且不与所述环形化合物半导体鳍的顶面接触，并且所述含锗半导体材料部的对的顶面不与所述环形化合物半导体鳍接触。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述环形化合物半导体鳍的所述纵长半导体鳍部的对彼此平行。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，进一步包括：化合物半导体材料层，其包含另一化合物半导体材料，并且与所述含锗半导体材料部的对的侧壁表面和所述环形化合物半导体鳍外延对准。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中，所述化合物半导体材料层不与所述含锗半导体材料部的对的顶面物理接触。

5.根据权利要求3所述的半导体结构，其中，所述化合物半导体材料层的所述另一化合物半导体材料具有比所述环形化合物半导体鳍的所述化合物半导体材料高的电导率。

6.根据权利要求3所述的半导体结构，其中，所述环形化合物半导体鳍被所述化合物半导体材料层、所述含锗半导体材料部的对、以及所述绝缘体层密封。

7.根据权利要求3所述的半导体结构，其中，所述化合物半导体材料层的所述另一化合物半导体材料被外延对准到所述化合物半导体材料和所述含锗半导体材料部的对中的半导体材料。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述含锗半导体材料部的对包含选自锗和硅锗合金的材料。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，进一步包括位于所述绝缘体层上且具有与所述含锗半导体材料部的对相同的组成的半导体鳍。

10.一种形成半导体结构的方法，包括：

在绝缘体层上形成含锗芯结构；

通过化合物半导体材料的选择性外延，在所述含锗芯结构周围形成包含化合物半导体材料的环形化合物半导体鳍；以及

去除所述含锗芯结构的一部分，其中所述含锗芯结构的剩余部分构成与所述环形化合物半导体鳍的侧壁接触的含锗半导体材料部的对。

11.根据权利要求10所述的方法，进一步包括直接在所述环形化合物半导体鳍上形成包含另一化合物半导体材料的化合物半导体材料层。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述另一化合物半导体材料与所述环形化合物半导体鳍外延对准。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述另一化合物半导体材料是通过选择性外延工艺沉积的。

14.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：

在所述含锗芯结构之上形成至少一个电介质芯帽；以及

在掩蔽层覆盖所述至少一个电介质芯帽的端部的同时，蚀刻所述含锗芯结构的所述一部分和所述至少一个电介质芯帽的物理暴露部分。

15.根据权利要求11所述的方法，其中，所述另一化合物半导体材料被沉积在所述含锗半导体材料部的对的侧壁上。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述另一化合物半导体材料与所述含锗半导体材料部的对中的含锗半导体材料外延对准。

17.根据权利要求11所述的方法，其中，所述化合物半导体材料层的所述另一化合物半导体材料具有比所述环形化合物半导体鳍的所述化合物半导体材料高的电导率。