[发明专利]刻蚀方法

权利要求书

1.一种刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法包括：

步骤1：在基片上形成金属材料层；

步骤2：对所述金属材料层进行构图工艺以形成第一图形；

步骤3：以具有所述第一图形的金属材料层为掩膜，对所述基片 进行干法刻蚀；

步骤4：去除所述基片上剩余的所述金属材料层。

2.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述步骤3 中，所述金属材料与所述基片之间的刻蚀选择比为(70～80)：1。

3.根据权利要求1或2所述的刻蚀方法，其特征在于，所述基 片由碳化硅制成，所述金属材料为镍。

4.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，在所述步骤 3中，进行干法刻蚀的工艺气体包括SF₆和O₂。

5.根据权利要求4所述的刻蚀方法，其特征在于，所述SF₆的 流量占总气体流量的80～90％，所述O₂的流量占总气体流量的 10％～20％。

6.根据权利要求4所述的刻蚀方法，其特征在于，所述SF₆的 流量范围为50～500sccm，所述O₂的流量的范围为10～500sccm，上 电极功率在800～2000W的范围内，下电极功率在100～500W的范围 内，腔室压力为4～15mT。

7.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述步骤1 采用磁控溅射的方式或蒸发镀膜的方式在所述基片上形成所述金属 材料层。

8.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述步骤2 包括：

步骤21：在所述金属材料层上使用光刻胶定义所述第一图形；

步骤22：对所述金属材料层进行干法刻蚀以形成所述第一图形；

步骤23：去除所述金属材料层上剩余的所述光刻胶。

9.根据权利要求8所述的刻蚀方法，其特征在于，在所述步骤 23中：

采用干法刻蚀去除所述金属材料层上剩余的所述光刻胶，所述 干法刻蚀的工艺气体包括O₂；或者

采用湿法刻蚀去除所述金属材料层上剩余的所述光刻胶，所述 湿法刻蚀采用的试剂包括丙酮。

10.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，在所述步 骤4中：

采用干法刻蚀去除所述基片上剩余的所述金属材料层，所述干 法刻蚀的工艺气体包括Ar；或者

采用湿法刻蚀去除所述基片上剩余的所述金属材料层，所述湿 法刻蚀采用的试剂包括硝酸。