[发明专利]一种有机发光二极管显示基板及其制作方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种有机发光二极管(OLED)显示基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

请参考图1，图1为现有技术中的一顶发射OLED显示基板的结构示意图，该顶发射OLED显示基板包括：衬底基板101以及设置于衬底基板101上的薄膜晶体管201、202和有机发光二极管203，所述有机发光二极管203在远离所述衬底基板101的方向上依次包括：阳极107、有机层109和阴极110。现有技术中，通常是通过溅射(sputtering)或薄薄地沉积一层透明或半透明导电材料形成所述阴极110。所述阴极110由于较薄因而电阻较高，在应用于大尺寸OLED显示装置时会诱发IP drop(压降)，导致影响OLED显示装置的画面品质。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种有机发光二极管显示基板及其制作方法、显示装置，以解决由于阴极电阻大而导致的有机发光二极管显示装置的IP drop的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种有机发光二极管显示基板，包括衬底基板以及设置于衬底基板上的薄膜晶体管和受所述薄膜晶体管驱动的有机发光二极管，所述有机发光二极管在远离所述衬底基板的方向上依次包括：阳极、有机层和阴极，所述有机发光二极管显示基板还包括：与所述阴极并联的辅助电极。

优选地，所述辅助电极与所述薄膜晶体管的源漏电极或栅电极同层同材料设置。

优选地，所述辅助电极与所述阳极同层同材料设置。

优选地，所述辅助电极包括：

通过连接孔连接的第一子辅助电极和第二子辅助电极；其中，所述第一子辅助电极与所述薄膜晶体管的源漏电极、栅电极或所述阳极同层同材料设置，所述第二子辅助电极与所述薄膜晶体管的源漏电极、栅电极或所述阳极同层同材料设置，所述第一子辅助电极与第二子辅助电极位于不同层。

优选地，所述有机发光二极管显示基板具体包括：

衬底基板；

栅电极；

栅绝缘层；

有源层；

同层同材料设置的源漏电极和第一子辅助电极；

平坦保护层，具有贯穿所述平坦保护层的连接孔；

同层同材料设置的阳极和第二子辅助电极，所述第二子辅助电极通过所述连接孔与所述第一子辅助电极连接；

像素定义层，所述阳极和所述第二子辅助电极至少部分不被所述像素定义层覆盖；

有机层；

阴极，所述阴极与所述第二子辅助电极连接。

优选地，所述有机发光二极管显示基板还包括：

与第一子辅助电极同层同材料设置的低电平线，所述低电平线分别与所述第一子辅助电极和阴极连接。

本发明还提供一种有机发光二极管显示基板的制作方法，包括在衬底基板上形成薄膜晶体管和受所述薄膜晶体管驱动的有机发光二极管的步骤，所述有机发光二极管在远离所述衬底基板的方向上依次包括：阳极、有机层和阴极，其特征在于，所述方法还包括：形成与所述阴极并联的辅助电极的步骤。

优选地，所述辅助电极与所述薄膜晶体管的源漏电极或栅电极通过一次构图工艺形成。

优选地，所述辅助电极与所述阳极通过一次构图工艺形成。

优选地，所述形成与所述阴极并联的辅助电极的步骤包括：

分别形成所述辅助电极的第一子辅助电极和第二子辅助电极，所述第一子辅助电极和所述第二子辅助电极通过连接孔连接，所述第一子辅助电极与所述薄膜晶体管的源漏电极、栅电极或所述阳极通过一次构图工艺形成，所述第二子辅助电极与所述薄膜晶体管的源漏电极、栅电极或所述阳极通过一次构图工艺形成，所述第一子辅助电极与第二子辅助电极位于不同层。

优选地，所述制作方法具体包括：

在衬底基板上形成栅电极；

形成栅绝缘层；

形成有源层；

通过一次构图工艺形成源漏电极和第一子辅助电极；

形成平坦保护层，并形成贯穿所述平坦保护层的连接孔；

通过一次构图工艺形成阳极和第二子辅助电极，所述第二子辅助电极通过所述连接孔与所述第一子辅助电极连接；

形成像素定义层，所述阳极和所述第二子辅助电极至少部分不被所述像素定义层覆盖；

形成有机层；

形成阴极，所述阴极与所述第二子辅助电极连接。

优选地，通过一次构图工艺形成源漏电极和第一子辅助电极的同时形成低电平线，所述低电平线分别与所述第一子辅助电极和阴极连接。

本发明还提供一种显示装置，包括上述有机发光二极管显示基板。