[发明专利]多层电子元件及其制造方法

权利要求书

1.一种多层电子元件，该多层电子元件包括：

包括多个磁性层的陶瓷体；

设置在磁性层间的非磁性层；

设置在陶瓷体中的在多个磁性层和非磁性层中的至少一个层上的并具有多个彼此电连接的内部线圈图案的内部线圈部件；以及

设置在陶瓷体上且与内部线圈部件连接的外部电极；

其中，所述非磁性层含有Nb₂O₅系介电材料。

2.根据权利要求1所述的多层电子元件，其中，所述Nb₂O₅系介电材料包括ZnO-Nb₂O₅、ZnO-TiO₂-Nb₂O₅、BaO-Nb₂O₅、BaO-TiO₂-Nb₂O₅和Bi₂O₃-Nb₂O₅系介电材料中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的多层电子元件，其中，所述非磁性层含有V₂O₅。

4.根据权利要求3所述的多层电子元件，其中，所述非磁性层中含有的Nb₂O₅：V₂O₅的摩尔比在0.9：0.1至0.6：0.4的范围内。

5.根据权利要求1所述的多层电子元件，其中，所述非磁性层含有含量为7-20重量％的玻璃料。

6.根据权利要求5所述的多层电子元件，其中，所述玻璃料含有CaO和BaO中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的多层电子元件，其中，所述非磁性层设置在内部线圈部件内侧。

8.根据权利要求1所述的多层电子元件，其中，所述非磁性层的区域的一部分含有介电材料，并且不含有介电材料的所述非磁性层的区域含有与所述磁性层的材料相同的材料。

9.根据权利要求1所述的多层电子元件，其中，所述非磁性层的区域的一部分含有介电材料，并且不含有介电材料的所述非磁性层的区域为空的。

10.一种制造多层电子元件的方法，该方法包括：

制备多个磁性片；

制备一个或多个含有Nb₂O₅系介电材料的非磁性片；

在磁性片和非磁性片中的至少一个片上形成内部线圈图案；

层叠磁性片和非磁性片以形成内部线圈部件和陶瓷体；以及

在陶瓷体的端表面上形成与内部线圈部件连接的外部电极。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述Nb₂O₅系介电材料包括ZnO-Nb₂O₅、ZnO-TiO₂-Nb₂O₅、BaO-Nb₂O₅、BaO-TiO₂-Nb₂O₅和Bi₂O₃-Nb₂O₅系介电材料中的至少一种。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，所述非磁性片含有V₂O₅。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述非磁性片中含有的Nb₂O₅：V₂O₅的摩尔比在0.9：0.1至0.6：0.4的范围内。

14.根据权利要求10所述的方法，其中，所述非磁性片含有含量为7-20重量％的玻璃料。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述玻璃料含有CaO和BaO中的至少一种。

16.根据权利要求10所述的方法，其中，所述非磁性片设置在内部线圈部件内侧。