[发明专利]氧化物薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置

权利要求书

1.一种氧化物薄膜晶体管，包括衬底基板，以及位于所述衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极，其特征在于，还包括位于所述源极和所述漏极下的导电的保护层，所述源极和所述漏极通过所述保护层与所述有源层连接。

2.根据权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述保护层的材质为石墨烯和/或碳纳米管。

3.根据权利要求2所述的氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，

所述保护层的厚度为0.1-5nm。

4.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1-3任一项所述的氧化物薄膜晶体管。

5.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求4所述的阵列基板。

6.一种氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成栅极金属层，经过构图工艺形成包括栅极的图形；

在形成了包括所述栅极的图形的所述衬底基板上，形成栅极绝缘层；

在形成了包括所述栅极绝缘层的所述衬底基板上，形成氧化物半导体层，经过构图工艺形成包括有源层的图形；

在形成了包括所述有源层的图形的所述衬底基板上，形成导电的保护层；

在形成了所述保护层的所述衬底基板上，形成源漏极金属层，经过构图工艺形成包括源极和漏极的图形；

对所述保护层进行处理，使所述源极和所述漏极未覆盖的所述保护层不导电。

7.根据权利要求6所述的氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，

所述对所述保护层进行处理，包括：在常压下对所述保护层进行空气或氧气退火处理，或者，在低压下对所述保护层进行氧气退火处理。

8.根据权利要求7所述的氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，

退火温度为200～800℃，退火时间为10min～200min。

9.根据权利要求6所述的氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，

所述对所述保护层进行处理，包括：使用N₂O等离子体或者O₂等离子体对所述保护层进行处理。

10.根据权利要求9所述的氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述使用N₂O等离子体或者O₂等离子体对所述保护层进行处理，包括：在低压或真空环境下，通入N₂O或者O₂气体，在200W～800W的功率下，使N₂O或者O₂气体放电，生成N₂O或者O₂等离子体，对所述保护层进行干法轰击处理，处理时间为10s～500s。

11.根据权利要求6所述的氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，

所述对所述保护层进行处理，包括：使用含有H₂O₂的液体对所述保护层进行处理。

12.根据权利要求11所述的氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，

所述使用含有H₂O₂的液体对所述保护层进行处理，包括：将含有H₂O₂的液体喷淋至所述保护层上，对所述保护层进行湿法处理，或者，将所述保护层浸泡至含有H₂O₂的液体中，对所述保护层进行湿法处理；其中，液体中H₂O₂的浓度为0.1％～50％，处理时间为1s～100s。