[发明专利]OLED器件及其制造方法、显示装置有效
申请号: | 201410698021.5 | 申请日: | 2014-11-27 |
公开(公告)号: | CN105633115B | 公开(公告)日: | 2018-11-09 |
发明(设计)人: | 刘青刚;魏朝刚 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 器件 及其 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种OLED器件,所述OLED器件包括基板以及形成于所述基板上的像素单元,所述像素单元包括多个子像素单元,所述子像素单元包括阳极、阴极及形成于所述阳极和所述阴极之间的有机材料层,其特征在于,所述子像素单元还包括导模共振滤光片,所述阳极包括依次形成于所述基板上的第一阳极膜层和第二阳极膜层以及覆盖所述第二阳极膜层和导模共振滤光片的第三阳极膜层,所述导模共振滤光片形成于所述第二阳极膜层与有机材料层之间,所述导模共振滤光片包括下电极、形成于所述下电极上的光栅层、形成于所述光栅层和下电极上的PDLC层以及形成于PDLC层上的上电极,通过控制所述下电极和上电极的电压以控制所述PDLC层的折射率,使得所述导模共振滤光片仅通过与各子像素单元对应波长的光波。
2.如权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述光栅层的材料是氧化硅或氮化硅。
3.如权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述上电极和下电极的材料是ITO、InZnO或ITZO。
4.如权利要求1至3中任意一项所述的OLED器件,其特征在于,还包括形成于所述基板上的滤光电路,所述滤光电路与所述下电极和上电极电连接以向所述下电极和上电极施加电压。
5.如权利要求1所述的OLED器件,其特征在于,所述第一阳极膜层和第三阳极膜层的材料是ITO、InZnO或ITZO,所述第二阳极膜层的材料是银。
6.如权利要求1或5所述的OLED器件,其特征在于,还包括形成于所述导模共振滤光片与第二阳极膜层之间的第一绝缘层以及形成于所述导模共振滤光片与第三阳极膜层之间的第二绝缘层。
7.一种OLED器件制造方法,包括:在基板上形成像素单元,所述像素单元包括多个子像素单元,所述子像素单元包括阳极、阴极及形成于所述阳极和所述阴极之间的有机材料层;其特征在于,所述OLED器件制造方法还包括:形成导模共振滤光片,所述导模共振滤光片包括下电极、形成于所述下电极上的光栅层、形成于所述光栅层和下电极上的PDLC层以及形成于所述PDLC层上的上电极,通过控制所述下电极和上电极的电压以控制所述PDLC层的折射率,使得所述导模共振滤光片仅通过与各子像素单元对应波长的光波;
所述阳极和导模共振滤光片通过以下步骤形成:在所述基板上形成第一阳极膜层以及第二阳极膜层;在所述第二阳极膜层上的各子像素单元内形成导模共振滤光片;以及在所述第二阳极膜层以及导模共振滤光片上形成第三阳极膜层;其中,所述导模共振滤光片形成于所述第二阳极膜层与有机材料层之间。
8.如权利要求7所述的OLED器件制造方法,其特征在于,所述光栅层的材料是氧化硅或氮化硅。
9.如权利要求8所述的OLED器件制造方法,其特征在于,所述上电极和下电极的材料是ITO、InZnO或ITZO。
10.如权利要求7至9中任意一项所述的OLED器件制造方法,其特征在于,在形成所述阳极之前,在所述基板上形成一滤光电路,所述滤光电路与所述下电极和上电极电连接以向所述下电极和上电极施加电压。
11.如权利要求7所述的OLED器件制造方法,其特征在于,所述第一阳极膜层和第三阳极膜层的材料是ITO、InZnO或ITZO,所述第二阳极膜层的材料是银。
12.如权利要求7或11所述的OLED器件制造方法,其特征在于,还包括:
在所述导模共振滤光片与第二阳极膜层之间形成第一绝缘层;以及
在所述导模共振滤光片与第三阳极膜层之间形成第二绝缘层。
13.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至6中任一项所述的OLED器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的