[发明专利]一种单透镜型晶片基底温度测量装置在审
申请号: | 201410693553.X | 申请日: | 2014-11-26 |
公开(公告)号: | CN105698964A | 公开(公告)日: | 2016-06-22 |
发明(设计)人: | 刘健鹏;桑云刚;黄文勇;严冬;焦宏达 | 申请(专利权)人: | 北京智朗芯光科技有限公司 |
主分类号: | G01K11/32 | 分类号: | G01K11/32 |
代理公司: | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人: | 刘杰 |
地址: | 102206 北京市昌平*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 透镜 晶片 基底 温度 测量 装置 | ||
1.一种单透镜型晶片基底温度测量装置,其特征在于,包括激光器、探测器、分光平片和透镜,
所述激光器发出的经过所述分光平片透射后,又经过所述透镜折射形成平行光束,所述平行光束射向晶片基底并被所述基底反射后形成反射光束,所述反射光束依次经过所述透镜折射后形成汇聚光,又经过所述分光平片反射后进一步汇聚,最终被所述探测器接收。
2.根据权利要求1所述的单透镜型晶片基底温度测量装置,其特征在于,所述激光器发射出的发射光在到达所述透镜时的行程为所述透镜的焦距;
所述反射光经过所述透镜折射并经过所述分光平片反射后,汇聚至所述探测器的接收光纤时的总行程为所述透镜的焦距。
3.根据权利要求2所述的单透镜型晶片基底温度测量装置,其特征在于,所述接收光纤的芯径大于所述发射光纤的芯径。
4.根据权利要求1所述的单透镜型晶片基底温度测量装置,其特征在于,所述分光平片的分光比是50%透射率和50%反射率。
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