[发明专利]形成于晶圆上的修调单元

权利要求书

1.一种形成于晶圆上的修调单元，其特征在于，其包括：

第一垫片；

第二垫片；

连接于第一垫片和第二垫片之间的熔丝体，所述熔丝体包括与第一垫片相连的第一导引部、与第二垫片相连的第二导引部和连接于第一导引部和第二导引部之间的熔丝部，每个导引部的宽度均由垫片到熔丝部逐渐变窄，而熔丝部的宽度小于等于所述导引部最窄部分的宽度；

位于所述熔丝部下方的衬垫结构区，该衬垫结构区包括在晶圆上形成于不同高度的多个层，衬垫结构区的每个层包括有多个间隔的格子区以及填充于格子区之间的绝缘区，衬垫结构区的不同层的格子区的材质不同。

2.根据权利要求1所述的形成于晶圆上的修调单元，其特征在于，第一垫片、第二垫片、熔丝体由位于在晶圆上的金属层形成。

3.根据权利要求2所述的形成于晶圆上的修调单元，其特征在于，衬垫结构区的每个层为第一多晶硅层、第二多晶硅层、第一垫片所在金属层的下层金属层中的一个，相应的，衬垫结构区的每个层的格子区的材质为第一多晶硅、第二多晶硅、金属中的一种。

4.根据权利要求2所述的形成于晶圆上的修调单元，其特征在于，第一垫片所在金属层为位于晶圆上的顶层金属层，衬垫结构区的不同层中的格子区在所述晶圆表面上的投影互不重叠。

5.根据权利要求1-4任一所述的形成于晶圆上的修调单元，其特征在于，衬垫结构区的每个层的格子区在所述晶圆表面上的投影形状为方形、三角形、五边形或六边形中的一个。

6.根据权利要求1-4任一所述的形成于晶圆上的修调单元，其特征在于，衬垫结构区在所述晶圆表面上的投影区域包含所述熔丝部和部分导引部在所述晶圆表面上的投影区域。

7.根据权利要求1-4任一所述的形成于晶圆上的修调单元，其特征在于，衬垫结构区的每个层的每个格子区的电位是悬浮的。

8.根据权利要求1-4任一所述的形成于晶圆上的修调单元，其特征在于，

在所述修调单元需要被熔断时，将第一个探针与第一垫片接触，将第二个探针与第二垫片接触，在两个探针之间施加一预定电压，此时在熔丝部形成的电流使得该熔丝部熔断。

9.根据权利要求1-4任一所述的形成于晶圆上的修调单元，其特征在于，第一垫片与所述晶圆上的电源端或一个器件中的一个连接端相连，第二垫片与所述晶圆上的另一个电源端或另一个器件中的一个连接端相连。

10.根据权利要求9所述的形成于晶圆上的修调单元，其特征在于，所述器件为电阻。