[发明专利]一种低损耗铁酸铋-钛酸钡基压电陶瓷的制备方法有效

专利信息
申请号: 201410691071.0 申请日: 2014-11-27
公开(公告)号: CN104402425A 公开(公告)日: 2015-03-11
发明(设计)人: 杨华斌;周沁;刘慧;李晓宁;王运风;粟航 申请(专利权)人: 桂林电子科技大学
主分类号: C04B35/26 分类号: C04B35/26;C04B35/63;C04B35/64;C04B35/622
代理公司: 桂林市华杰专利商标事务所有限责任公司 45112 代理人: 罗玉荣
地址: 541004 广西*** 国省代码: 广西;45
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 损耗 铁酸铋 钛酸钡 压电 陶瓷 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种无铅压电陶瓷的制备方法,具体是在高压氧条件下采用低温液相快速烧结制备的低损耗高性能铁酸铋-钛酸钡基高温无铅压电陶瓷的制备方法。 

背景技术

压电陶瓷在信息、激光、导航、电子技术、通讯、计量检测、精密加工和传感技术等高技术领域应用广泛。铁酸铋-钛酸钡体系压电陶瓷因其无铅、烧结温度低、高居里温度、高退极化温度以及良好的压电性能收受到极大关注,2009年,Serhiy O. Leontsev  and Richard E. Eitel等报道该体系在氧气氛中烧结条件下可获得的压电常数d33=116pC/N、退极化温度Td=469oC的压电陶瓷,但由于该体系的介电损耗一直较高,在1KHZ下的介电损耗为4.6%,严重限制了其实际开发应用,因此如何降低该体系的介电损耗,是该体系得以在高温领域应用的关键技术。

BiFeO3-BaTiO3体系的介电损耗主要由以下几个方面的因素引起:(1)由于纯BiFeO3的烧结温度为750度左右,而BaTiO3的烧结温度为1450度左右,两者相差达到700oC,因此,为了提高BiFeO3-BaTiO3陶瓷体系的致密度及性能,两相固溶体的烧结温度在1000oC以上,而Bi元素在高温下又极易挥发,因此使得烧结产品偏离设计的化学计量比;(2)Fe3+离子的变价,在降温阶段,Fe3+离子有部分会转变成Fe2+离子。为了维持化合价平衡,这两种因素都会导致大量氧空位的产生,最终使得样品的介电损耗较高,极化困难。因此该体系在高温压电领域得以应用的关键是如何控制该体系的介电损耗。

发明内容

本发明的目的是针对BiFeO3-BaTiO3体系所存在的不足,而所提供一种低损耗铁酸铋-钛酸钡基压电陶瓷的制备方法。这种压电陶瓷能有效的将介电损耗降低到了1.0%以下,使其可以应用在高温领域。

实现本发明目的的技术方案是:

一种低损耗铁酸铋-钛酸钡基压电陶瓷,其组成通式为: (1-x)(Bi1-tLat)FeO3-xBa(Ti1-uSnu)O3+0.5%BiMnO3+yBa(Cu1/3Nb2/3)O3+zLiBiO3+mBa(W1/2Cu1/2)O3,其中txu、y、z、m表示摩尔分数,且0<t≤0.02,0.15≤x≤0.30,0<u<0.05, 0<y<0.05, 0<z<0.05,0<m<0.05。

一种低损耗铁酸铋-钛酸钡基压电陶瓷的制备方法,包括如下步骤:

(1)以分析纯Fe2O3、Bi2O3、BaCO3、TiO2、La2O3、SnO2、MnCO3、CuO、WO3、Nb2O5、Li2CO3为原料,按照(1-x)(Bi1-tLat)FeO 3-xBa(Ti1-uSnu)O3+LiBiO3

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桂林电子科技大学,未经桂林电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410691071.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top