[发明专利]包括氧化物薄膜晶体管的阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板，该阵列基板包括：

栅屏障层，其在基板上；

选通线，其在所述栅屏障层上，所述选通线具有暴露栅极区中的栅屏障层的栅开口部分，其中，所述选通线被设置在所述栅开口部分的两侧；

栅极，其在所述栅极区的边缘部分处；

栅绝缘层，其在所述选通线上；

有源层，其在所述栅极区中的栅屏障层上方的栅绝缘层上；

源极和漏极，其在所述有源层上彼此分隔开。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述栅屏障层包括合金和材料中的一者，所述合金包括铬Cr、硅Si、钛Ti、钼Mo、钽Ta和铝Al中的至少两种，所述材料包括铬Cr、硅Si、钛Ti、钼Mo、钽Ta和铝Al中的一种和氧化碳CO_x、氧化物O_x和氮化物N_x中的一种。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述栅屏障层包括第一栅层和所述第一栅层上的第二栅层，其中，所述第一栅层的反射率高于所述第二栅层的反射率，其中，所述第二栅层的蚀刻选择率高于所述第一栅层的蚀刻选择率。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其中，所述第一栅层包括钼Mo、钛Ti、铜Cu、铝Al、金Au和银Ag中的一种、以及包含其中至少一种的合金，其中，所述第二栅层包括氧化铟InO_x、氧化锌ZnO_x和氧化锡SnO_x中的一种。

5.根据权利要求3所述的阵列基板，其中，所述栅屏障层还包括所述第一栅层下方的第三栅层，所述第三栅层包括氧化铟InO_x、氧化锌ZnO_x和氧化锡SnO_x中的一种。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述源极包括数据屏障层，所述数据屏障层包括第一数据层和所述第一数据层上的第二数据层，其中，所述第一数据层的反射率高于所述第二数据层的反射率，其中，所述第二数据层的蚀刻选择率高于所述第一数据层的蚀刻选择率，其中，所述漏极包括漏屏障层，所述漏屏障层包括第一漏层和所述第一漏层上的第二漏层，其中，所述第一漏层的反射率高于所述第二漏层的反射率，其中，所述第二漏层的蚀刻选择率高于所述第一漏层的蚀刻选择率。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其中，所述第一数据层和所述第一漏层中的每一个包括钼Mo、钛Ti、铜Cu、铝Al、金Au和银Ag中的一种、以及包含其中至少一种的合金，其中，所述第二数据层和所述第二漏层中的每一个包括氧化铟InO_x、氧化锌ZnO_x和氧化锡SnO_x中的一种。

8.根据权利要求6所述的阵列基板，其中，所述数据屏障层还包括所述第一数据层下方的第三数据层，其中，所述漏屏障层还包括所述第一漏层下方的第三漏层，其中，所述第三数据层和所述第三漏层中的每一个包括氧化铟InO_x、氧化锌ZnO_x和氧化锡SnO_x中的一种。

9.根据权利要求1所述的阵列基板，其中，所述选通线、所述源极和所述漏极中的每一个包括具有铝Al、铜Cu、银Ag和钛Ti中的一种和钙Ca、镁Mg、锌Zn、钛Ti、钼Mo、镍Ni、锰Mn、锆Zr、镉Cd、金Au、银Ag、钴Co、铟In、钽Ta、铪Hf、钨W和铬Cr中的至少一种的合金。

10.一种制造基板的方法，该方法包括：

在基板上顺序形成栅屏障层和选通线，所述选通线具有暴露栅极区中的栅屏障层的栅开口部分，其中，所述选通线被设置在所述栅开口部分的两侧；

在所述栅极区的边缘部分处形成栅极；

在所述选通线上形成栅绝缘层；

在所述栅极区中的栅屏障层上方的栅绝缘层上形成有源层；

在所述有源层上形成彼此分隔开的源极和漏极。