[发明专利]半导体器件制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件制造方法，用于制备具有张应力的氮化硅，其 特征在于包括如下步骤：

步骤c1，在沉积设备腔体内通入氨气和氮气，并预稳定，使所述 腔体内部气体扩散均匀、压力稳定；

步骤c2，向所述腔体内通入硅烷；

步骤c3，射频点火；

步骤c4，在上述步骤c1-c3顺序执行的基础上，在晶片上沉积具 有张应力的氮化硅，步骤c1-c4的顺序执行即为一个沉积循环；

步骤c5，采用氮离子注入工艺处理所述氮化硅。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤c1中，氨气流 量为80sccm，氮气流量为4000sccm。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤c2中，硅烷流 量为20sccm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤c3中，在保持 步骤c1和步骤c2中气体流量的同时，开启射频，设定功率为40W， 时间为5s。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤c4的时间设定 为1.5s，使得晶片上沉积的所述氮化硅的厚度为

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤c1至步骤c4 执行过程中，所述沉积设备腔体内压力稳定控制在6T。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤c5具体为下列 方法(1)或者方法(2)或者方法(1)和(2)的结合：(1)在同 一所述沉积设备腔体内，关闭氨气和硅烷的阀门，保持氮气的阀门开 启，持续通入4000sccm的氮气，开启RF功率为40W，激发氮等离 子体轰击所述氮化硅的表面；(2)将沉积了氮化硅的晶片传送进入 低能离子注入腔，再将氮离子注入到所述氮化硅中。

8.根据权利要求1-7任一项所述的方法，其特征在于，循环多次 执行步骤c1至步骤c5，其中，在每次所述沉积循环之后，均执行步 骤c5。

9.根据权利要求1-7任一项所述的方法，其特征在于，循环多次 执行步骤c1至步骤c5，其中，在所选的某次或某些次所述沉积循环 之后，才执行步骤c5。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤c1之前进一 步包括：步骤a，清洁以及调适所述沉积设备腔体，耗时120s；步骤 b，装载所述晶片，耗时5s；其中，所述沉积设备为双频容性耦合等 离子体平行板式PECVD设备，所述沉积设备腔体内本底真空度小于 等于30mT。