[发明专利]一种p+-i-n+体结构的光触发GaAs雪崩开关

权利要求书

1.一种p⁺-i-n⁺体结构的光触发GaAs雪崩开关，其特征在于，包括半绝缘基区i层(1)、重掺杂n⁺层(2)、重掺杂p⁺层(3)、阳极金属层(4)、阴极金属层(5)、钝化保护层(6)、通光孔(7)和电极引线(8)；所述p⁺-i-n⁺体结构的光触发GaAs雪崩整体为一体结构，且半绝缘基区i层(1)、重掺杂n⁺层(2)、重掺杂p⁺层(3)、阴极金属层(5)尺寸保持一致；绝缘基区i层(1)采用半绝缘GaAs材料，半绝缘基区i层(1)位于重掺杂n⁺层(2)、重掺杂p⁺层(3)之间；且重掺杂n⁺层(2)与半绝缘基区i层(1)所贴合的表面为重掺杂n⁺层(2)下表面，重掺杂p⁺层(3)与半绝缘基区i层(1)所贴合的表面为重掺杂p⁺层(3)上表面；重掺杂n⁺层(2)的上表面为阳极金属层(4)；重掺杂p⁺层(3)的下表面为阴极金属层(5)，通光孔7在阳极金属层(4)或阴极金属层(5)中形成，使激光脉冲通过通光孔(7)触发开关工作；在重掺杂n⁺层(2)上表面未覆盖阳极金属层(4)的部分沉积钝化保护层(6)，且钝化保护层(6)、阳极金属层(4)和阴极金属层(5)三者的厚度保持一致；阴极金属层(5)直接与外电路连接，阳极金属层(4)通过电极引线(8)与外电路连接。

2.如权利要求1所述的一种p+-i-n+体结构的光触发GaAs雪崩开关，其特征在于，重掺杂p⁺层(3)和重掺杂n⁺层(2)的掺杂层厚度在10μm内，掺杂浓度为10¹⁶-10²¹cm^-3。

3.如权利要求1所述的一种p+-i-n+体结构的光触发GaAs雪崩开关，其特征在于，阳极金属层(4)材料为Mo、Pd、Pt、Ti、W、WTi、TiN、Ni、Ge、Au组成的多层金属或合金。

4.如权利要求1所述的一种p+-i-n+体结构的光触发GaAs雪崩开关，其特征在于，阴极金属层(5)材料为Ti、Pt、W、WTi、TiN、Au一种或多种组成的多层金属或合金。

5.如权利要求1所述的一种p+-i-n+体结构的光触发GaAs雪崩开关，其特征在于，钝化保护层(6)为SiN、Si₃N₄、SiO₂组成的单层或多层介质。