[发明专利]一种抗弯曲多模光纤

权利要求书

1.一种抗弯曲多模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于芯层折射率剖面呈抛物线形，α为1.9～2.2，芯层的半径R1为23~27μm，最大相对折射率差Δ1_max为0.9%~1.2%，所述的包层由内到外依次为内包层、下陷包层以及外包层，所述的内包层单边宽度（R2-R1）为1~3μm，相对折射率差Δ2为-0.05%~0.1%，所述的下陷包层单边宽度（R3-R2）为2~5μm，相对折射率差Δ3为-0.53%~-0.3%，所述的芯层为锗氟Ge/F共掺的二氧化硅玻璃层，其中芯层中心位F掺杂的贡献量ΔF1_min小于等于0%，芯层边缘位F掺杂的贡献量ΔF1_max大于等于-0.45%，所述的外包层为纯二氧化硅玻璃层；内包层为Ge/F共掺的二氧化硅玻璃层，其中F掺杂的贡献量ΔF2大于或等于-0.45%；下陷包层为Ge/F共掺的二氧化硅玻璃层，或纯掺F的二氧化硅玻璃层，其中F掺杂的贡献量ΔF3为-1%~-0.3%。

2.按权利要求1所述的抗弯曲多模光纤，其特征在于由芯层中心位到芯层边缘位，F掺杂贡献量呈递增状，增加趋势呈线性或近似抛物线。

3.按权利要求1所述的抗弯曲多模光纤，其特征在于光纤芯、包层F掺杂的贡献量满足ΔF1_min>ΔF2≥ΔF1_max>ΔF3。

4.按权利要求1或2所述的抗弯曲多模光纤，其特征在于本发明光纤的DMD Inner Mask（5-18μm）和DMD Outer Mask（0-23μm）均小于等于0.33 ps/m；DMD Interval Mask 小于等于0.25 ps/m。

5.按权利要求1或2所述的抗弯曲多模光纤，其特征在于光纤在850nm波长具有3500 MHz-km或3500 MHz-km以上带宽，在1300nm波长具有500 MHz-km或500MHz-km以上带宽。

6.按权利要求1或2所述的抗弯曲多模光纤，其特征在于光纤的数值孔径为0.185~0.215。

7.按权利要求1或2所述的抗弯曲多模光纤，其特征在于光纤在850nm波长处，以7.5毫米弯曲半径绕2圈导致的弯曲附加损耗小于0.2dB；在1300nm波长处，以7.5毫米弯曲半径绕2圈导致的弯曲附加损耗小于0.5dB。