[发明专利]一种霍尔元件及其制备方法

权利要求书

1.一种霍尔元件的结构，其特征在于：包括以外延方式依次倒装生长的铝镓砷势垒层、铝镓砷空间隔离层和铟镓砷沟道层；霍尔元件组装在非晶衬底上。

2.如权利要求1所述的一种霍尔元件的结构，其特征在于：所述的铝镓砷势垒层为平面型掺杂；所述的铝镓砷空间隔离层为本征材料；所述的铟镓砷沟道层为本征材料。

3.如权利要求1所述的一种霍尔元件的结构，其特征在于；所述的铝镓砷势垒层和空间隔离层与衬底晶格完全匹配，不产生应力；所述的铟镓砷沟道层与铝镓砷空间隔离层存在晶格失配，为赝晶材料，存在应力。

4.如权利要求1所述的一种霍尔元件的制备方法，其特征在于，包括步骤：

a）选用一砷化镓单晶衬底，在其上生长牺牲层；

b）在牺牲层上依次生长平面型掺杂铝镓砷势垒层、本征铝镓砷空间隔离层以及本征铟镓砷沟道层；

c）外延片表面粘附一层柔性薄膜，浸泡于选择性腐蚀溶液中，通过腐蚀液选择性腐蚀牺牲层，实现外延功能层与衬底分离；剥离后的衬底，经过简单处理后，可重复用于外延生长；

d）将剥离后的外延功能层柔性薄膜一面，粘附在一刚性支撑衬底上；

e）采用传统霍尔元件工艺，制备金属电极、台面刻蚀、钝化以及封装。

5.如权利要求4所述的一种霍尔元件的制备方法，其特征在于：所述的牺牲层材料为砷化铝（AlAs）。

6.如权利要求4所述的一种霍尔元件的制备方法，其特征在于：所述的柔性薄膜及刚性支撑衬底与后面的工艺兼容。

7.如权利要求4所述的一种霍尔元件的制备方法，其特征在于：所述的牺牲层选择性腐蚀溶液为氢氟酸（HF）溶液。