[发明专利]宽频微带天线基片陶瓷材料、制备方法及基片

权利要求书

1.一种宽频微带天线基片陶瓷材料，其特征在于：按重量份包括下列组分：

0.93(Mg_0.97Zn_0.03)TiO₃-0.07CaTiO₃   100

金属导体                    2-12。

2.根据权利要求1所述的宽频微带天线基片陶瓷材料，其特征在于：按重量份包括下列组分：

0.93(Mg_0.97Zn_0.03)TiO₃-0.07CaTiO₃   100

金属导体                    5.5。

3.根据权利要求2所述的宽频微带天线基片陶瓷材料，其特征在于：0.93(Mg_0.97Zn_0.03)TiO₃-0.07CaTiO₃和金属导体混合后球磨成粉体。

4.根据权利要求1、2或3所述的宽频微带天线基片陶瓷材料的制备方法，其特征在于：所述金属导体为Ag。

5.一种宽频微带天线基片陶瓷材料的制备方法，其特征在于：包括下列步骤：

a.制备0.93(Mg_0.97Zn_0.03)TiO₃-0.07CaTiO₃；

b.将设定重量份的0.93(Mg_0.97Zn_0.03)TiO₃-0.07CaTiO₃与设定重量份的导电金属混合球磨，得到宽频微带天线基片陶瓷材料。

6.根据权利要求5所述的宽频微带天线基片陶瓷材料的制备方法，其特征在于：步骤a中，按照化学式0.93(Mg_0.97Zn_0.03)TiO₃-0.07CaTiO₃称取含镁化合物、含锌化合物、含钛化合物与含钙化合物混合球磨，在1000℃-1100℃温度下烧制1-6h得到0.93(Mg_0.97Zn_0.03)TiO₃-0.07CaTiO₃；导电金属为Ag或Cu。

7.根据权利要求6所述的宽频微带天线基片陶瓷材料的制备方法，其特征在于：所述含锌化合物为氧化锌和/或硝酸锌；所述含镁化合物为氧化镁和/或氢氧化镁；所述含钛化合物为氧化钛和/或草酸钛；所述含钙化合物为碳酸钙和/或氢氧化钙；所述步骤a和b中，混合球磨均为湿法球磨，添加的介质为乙醇和/或去离子水，湿法球磨烘干后均进行烘干。

8.一种宽频微带天线基片，其特征在于：将权利要求1-8任一权利要求的宽频微带天线基片陶瓷材料与粘结剂混合压制后结得到宽频微带天线基片。

9.根据权利要求8所述的宽频微带天线基片，其特征在于：宽频微带天线基片陶瓷材料与粘结剂混合压制后在500℃-600℃保温1-3h；所述烧结温度为1200℃-1300℃。

10.根据权利要求8所述的宽频微带天线基片，其特征在于：所述粘结剂的添加量占宽频微带天线基片陶瓷材料质量的1％-3.5％。