[发明专利]鳍上外延沟道、鳍式场效应晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 201410681972.1 | 申请日： | 2014-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN105702579B | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 秦长亮;殷华湘;李俊峰;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 党丽;吴兰柱 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 外延 沟道 场效应 晶体管 制造 方法 | ||
1.一种鳍上外延沟道的制造方法，其特征在于，包括步骤：
提供衬底，衬底中形成有相互隔离的鳍；
进行离子注入，以形成穿通停止层；
进行鳍外延前的前烘，以去除鳍上的自然氧化层，并在前烘的腔室中对鳍进行回流，使鳍的高度降低，沟道区原有的掺杂残留下移至鳍的下部；
在鳍上生长外延层；
前烘是指通过腔室中的气体与鳍上的自然氧化层反应生成化合物，化合物在气化后从鳍表面分离；
回流是指改变腔室中气体压强和/或温度，使鳍的高度降低，鳍的原子重新排列。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述外延层的迁移率大于鳍的迁移率。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述衬底为SOI或GOI衬底。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，前烘的气体为H2、或者H2与HCl、NH4F或GeH4的混合气体、或者HF与N2的混合气体。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，去除自然氧化层时，腔室内气体的压强为20-2000托，腔体的温度为450-1150℃。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，对鳍进行回流时，腔室内气体的压强为50毫托-200托，腔体的温度为450-1150℃。
7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，去除自然氧化层时，腔室内气体的压强为250-1000托，腔体的温度为700-850℃。
8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，对鳍进行回流时，腔室内气体的压强为1-100托，腔体的温度为700-850℃。
9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，外延层的厚度范围为1-100nm。
10.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，外延层的厚度范围为5-40nm。
11.一种鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括权利要求1-10中任一项所述的鳍上外延沟道的制造方法。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410681972.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
