[发明专利]垂直配向型液晶显示器

权利要求书

1.一种垂直配向型液晶显示器，其特征在于，包括CF基板(1)、与所述CF基板(1)相对设置的TFT基板(2)、及设于所述CF基板(1)与TFT基板(2)之间的液晶层(3)；

所述TFT基板(2)包括玻璃基板(21)、设于所述玻璃基板(21)上的栅极(221)与扫描线(222)，设于所述玻璃基板(21)上覆盖栅极(221)与扫描线(222)的栅极绝缘层(23)、于所述栅极(221)上方设于栅极绝缘层(23)上的活性层(24)、设于所述活性层(24)与栅极绝缘层(23)上的源/漏极(251)、设于所述栅极绝缘层(23)上的数据线(252)、设于所述栅极绝缘层(23)上覆盖源/漏极(251)与数据线(252)的钝化层(26)、及设于所述钝化层(26)上的图案化的像素电极(27)；所述像素电极(27)经由钝化层过孔(260)与源/漏极(251)接触；

所述液晶层(3)中溶解有辅助配向剂(31)，所述辅助配向剂(31)一端吸附在TFT基板(2)及CF基板(1)的表面，另一端与液晶层(3)中的液晶分子间存在作用力，使液晶分子在TFT基板(2)的表面垂直排列；

所述钝化层(26)至少包括一层，其中与所述像素电极(27)的接触层为表面特性与像素电极(27)相接近的氧化物层，从而使所述辅助配向剂(31)与TFT基板(2)表面的作用力均匀；

所述表面特性与像素电极(27)相接近的氧化物层为二氧化锆层或二氧化钛层。

2.如权利要求1所述的垂直配向型液晶显示器，其特征在于，所述钝化层(26)为双层或三层结构，包括一最上层(263)与其它层(261)，所述最上层(263)是与所述像素电极(27)的接触层；所述其它层(261)为氮化硅层、二氧化硅层、氧化铝层、二氧化锆层、或二氧化钛层之中的一种或两种。

3.如权利要求1所述的垂直配向型液晶显示器，其特征在于，所述钝化层(26)为单层结构，该单层的钝化层(26)是与所述像素电极(27)的接触层。

4.如权利要求1所述的垂直配向型液晶显示器，其特征在于，所述钝化层(26)通过化学气相沉积法形成。

5.一种垂直配向型液晶显示器，其特征在于，包括CF基板(1)、与所述CF基板(1)相对设置的TFT基板(2)、及设于所述CF基板(1)与TFT基板(2)之间的液晶层(3)；

所述TFT基板(2)包括玻璃基板(21)、设于所述玻璃基板(21)上的栅极(221)与扫描线(222)，设于所述玻璃基板(21)上覆盖栅极(221)与扫描线(222)的栅极绝缘层(23)、于所述栅极(221)上方设于栅极绝缘层(23)上的活性层(24)、设于所述活性层(24)与栅极绝缘层(23)上的源/漏极(251)、设于所述栅极绝缘层(23)上的数据线(252)、设于所述栅极绝缘层(23)上覆盖源/漏极(251)与数据线(252)的钝化层(26)、设于所述钝化层(26)上的图案化的像素电极(27)、及覆盖所述像素电极(27)与钝化层(26)的平坦层(28)；所述像素电极(27)经由钝化层过孔(260)与源/漏极(251)接触；

所述液晶层(3)中溶解有辅助配向剂(31)，所述辅助配向剂(31)一端吸附在TFT基板(2)及CF基板(1)的表面，另一端与液晶层(3)中的液晶分子间存在作用力，使液晶分子在TFT基板(2)的表面垂直排列；

所述平坦层(28)使TFT基板(2)的表面特性均一化，从而使所述辅助配向剂(31)与TFT基板(2)表面的作用力均匀；

所述平坦层(28)为氮化硅层、二氧化硅层、氧化铝层、二氧化锆层、或二氧化钛层。

6.如权利要求5所述的垂直配向型液晶显示器，其特征在于，所述平坦层(28)的厚度为50nm-1000nm。

7.如权利要求5所述的垂直配向型液晶显示器，其特征在于，所述平坦层(28)通过化学气相沉积法形成。