[发明专利]一种鼓槌石斛种子组织培养快速繁殖方法有效

专利信息
申请号: 201410674752.6 申请日: 2014-11-21
公开(公告)号: CN104322375B 公开(公告)日: 2017-07-28
发明(设计)人: 霍丽妮;苏钛;陈睿;李培源;苏炜;吕金燕 申请(专利权)人: 广西中医药大学
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙)11369 代理人: 靳浩
地址: 530213 广西壮*** 国省代码: 广西;45
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摘要:
搜索关键词: 一种 鼓槌 石斛 种子 组织培养 快速 繁殖 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及植物快速繁殖方法,特别是一种鼓槌石斛种子组织培养快速繁殖方法。

背景技术

鼓槌石斛(Dendrobium chrysotoxumLind1.)为兰科多年生附生草本。假鳞茎直立、肉质,纺锤形或鼓槌状,具2-5节和多数圆钝的条棱,干后金黄色;叶顶生,革质,2-5枚,长圆形,长10-19cm,宽2-4cm,先端急尖而钩转。总状花序由近顶端叶腋抽出,长达20cm,疏生花5-8朵,花金黄色,具清香;唇瓣近肾状圆形,基部两侧多少具红色条纹,中央具深红色晕斑,边缘波状,密被短绒毛,花期3-5月。鼓槌石斛原产我国云南南部至西南部,生于海拔500-1600m,阳光充足的常绿阔叶林中树干上或疏林下岩石上。国外分布于印度东北部、缅甸、泰国、老挝和越南。

鼓槌石斛又名金弓石斛,以鲜茎或干茎入药,是我国民间习用药用石斛种类之一。具有生津益胃、清热养阴等药效。又因观赏性佳,花期长,是著名的观花植物。由于兰科植物种子在野外很难发芽,自然繁殖主要是靠分株繁殖,繁殖率低下,自然更新困难,随着社会的发展,人民对美的追求以及长期以来药用的需求,造成野生资源的严重破坏,现野外已经很少能见到美丽的鼓槌石斛。本发明采用现代生物技术,克隆鼓槌石斛,规模化生产种苗,解决鼓槌石斛人工种植的种苗问题,为社会的发展以及鼓槌野生植物资源的保护做出贡献。

发明内容

本发明的目的是提供一种鼓槌石斛种子组织培养快速繁殖方法,直接取鼓槌石斛的种子进行组织培养,有效缩短鼓槌石斛的培养周期,减小因多次继代培养造成的变异概率,采用组织培养所得的鼓槌石斛组培苗,植株健壮,生长能力强,适于工厂化生产,以解决鼓槌石斛人工种植的种苗问题。

本发明提供的技术方案是:

一种鼓槌石斛种子组织培养快速繁殖方法,包括以下步骤:

步骤一、将预处理的鼓槌石斛种子播种于诱导培养基中,在温度为23-30℃,光照强度为2000-2500lux,光照照时间为13-15h/d的条件下培养7-15天,得到鼓槌石斛小芽;

步骤二、将鼓槌石斛小芽置于继代培养基中,培养30-60天,其中培养温度为25-32℃,在光照强度为2000-2600lux照射13-15h/d,培养30-60天,获得鼓槌石斛组培分化苗;

步骤三、将鼓槌石斛组培分化苗移栽至生根培养基中,培养30-50天,然后移到自然光下培养45-60天,得到鼓槌石斛生根组培苗;

步骤四、将鼓槌石斛生根组培苗移栽至苗床上,培养30-40天,鼓槌石斛生根组培苗生长稳定后即可移栽至大棚中。

优选的是,所述的鼓槌石斛种子组织培养快速繁殖方法中,步骤一中所述鼓槌石斛种子的预处理是将鼓槌种子置于75-80%的乙醇溶液中浸泡25-40秒,然后取质量分数为0.1%升汞溶液消毒10-30分钟,并置于无菌水下反复清洗。

优选的是,所述的鼓槌石斛种子组织培养快速繁殖方法中,步骤一中所述的诱导培养基为:以MS-H为基本培养基,然后加入0.5-3mg/L萘乙酸、1.0-3.0mg/L吲哚乙酸、0.2-2.0mg/L噻苯隆、25-35g/L蔗糖及3-5g/L琼脂,并调整诱导培养基pH值为5.5-6。

优选的是,所述的鼓槌石斛种子组织培养快速繁殖方法中,步骤二所述的继代培养基为:以MS为基本培养基,加入0.5-2mg/L玉米素、1-3mg/L6-苄氨基嘌呤、0.5-2mg/L萘乙酸、0.5-3.0mg/L吲哚丁酸、0.2-1.0mg/L噻苯隆、25-35g/L蔗糖及4-5g/L琼脂,并调整继代培养基的pH值5.7-6。其中,MS培养基是Murashige和Skoog于1962年为烟草细胞培养设计的,其特点是无机盐和离子浓度较高,是较稳定的离子平衡溶液,它的硝酸盐含量高,其养分的数量和比例合适,能满足植物细胞的营养和生理需要,因而适用范围比较广,多数植物组织培养快速繁殖用它作为培养基的基本培养基。基于此,这种培养基就用他们的名字来命名了。

优选的是,所述的鼓槌石斛种子组织培养快速繁殖方法中,步骤三中所述生根培养基为:1/2MS为基本培养基,加入5-20%香蕉、0.1-2.0g/L吲哚丙酸、0.2-3.0mg/L萘乙酸、2-5%蔗糖及0.2-0.5%活性炭,并调整生根培养基的pH值为5.6-6。

优选的是,所述的鼓槌石斛种子组织培养快速繁殖方法中,步骤三中所述鼓槌石斛组培分化苗移栽至生根培养基中的培养条件为:温度25-32℃、光照强度2500-3000lux,光照时间为13-15h/d。

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