[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

多个单位MISFET元件，形成在所述半导体衬底的主表面的第一MISFET形成区域中并且彼此并联耦合；

互连线结构，形成在所述半导体衬底之上，并具有第一互连线层以及位于所述第一互连线层之上的第二互连线层；以及

背面电极，形成在所述半导体衬底的与所述主表面相对的背面之上，

其中每个所述单位MISFET元件均具有形成在所述半导体衬底中的源极区域、形成在所述半导体衬底中的漏极区域以及经由栅极绝缘膜形成在所述半导体衬底之上的位于所述源极区域和所述漏极区域之间的栅电极，

其中所述互连线结构的所述第一互连线层包括第一源极互连线和第一栅极互连线，

其中所述互连线结构的所述第二互连线层包括第二源极互连线和第二栅极互连线，

其中所述第一源极互连线和所述第一栅极互连线中的每一个互连线的厚度均小于所述第二源极互连线和所述第二栅极互连线中的每一个互连线的厚度，

其中所述单位MISFET元件的漏极区域经由嵌入在所述半导体衬底的相应沟槽中的导电插塞电耦合至所述背面电极以彼此电耦合，

其中所述单位MISFET元件的源极区域经由相应的所述第一源极互连线和相应的所述第二源极互连线彼此电耦合，

其中所述单位MISFET元件的栅电极经由相应的所述第一栅极互连线彼此电耦合并且经由相应的所述第一栅极互连线电耦合至相应的所述第二栅极互连线，以及

其中所述第一栅极互连线在所述插塞之上延伸。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第一栅极互连线在作为每个所述栅电极的延伸方向的第一方向上在所述插塞之上延伸。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中所述插塞在彼此相邻的所述栅电极之间在所述第一方向上延伸，其中所述漏极区域夹置在彼此相邻的所述栅电极之间。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，

其中，在所述第一MISFET形成区域之上，所述第一栅极互连线整体包括在所述第一方向上延伸的部分以及在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸的部分，以及

其中所述第一栅极互连线的在所述第一方向上延伸的部分在所述插塞之上沿着所述第一方向延伸。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，

其中所述第一源极互连线被划分为多个分立的源极互连线，其中所述第一栅极互连线夹置在所述分立的源极互连线之间，

其中，在所述单位MISFET元件的相应源极区域之上，放置所述分立的源极互连线，

其中所述第二源极互连线被放置为覆盖所述分立的源极互连线，以及

其中所述分立的源极互连线经由所述第二源极互连线彼此电耦合。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，

其中，在平面图中，每个所述分立的源极互连线均被所述第一栅极互连线所环绕。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，

其中所述分立的源极互连线也在所述栅电极之上延伸。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，

其中每个所述单位MISFET元件进一步包括场板电极，

其中所述分立的源极互连线还在所述场板电极之上延伸，以及

其中所述场板电极电耦合至所述分立的源极互连线。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，

其中每个所述场板电极均经由绝缘膜从所述漏极区域的一部分之上延伸到所述栅电极的一部分之上。