[发明专利]一种二值化的纳米多孔材料表征方法在审

专利信息
申请号: 201410673713.4 申请日: 2014-11-21
公开(公告)号: CN104359929A 公开(公告)日: 2015-02-18
发明(设计)人: 谢惠民;李传崴;刘战伟 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: G01N23/22 分类号: G01N23/22
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 10008*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 二值化 纳米 多孔 材料 表征 方法
【权利要求书】:

1.一种基于二值法的用于表征纳米多孔材料的结构主周期和结构主方向的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:

a).将待测纳米多孔材料加工成厚度为0.1~0.3mm的矩形薄膜试样并将该试样置于扫描电镜的样品台上,调节扫描电镜的放大倍数和工作距离,以得到所述纳米多孔材料的云纹条纹,记录所述扫描电镜的放大倍数并拍摄所述云纹条纹图像;

b).将所拍摄的云纹条纹图像进行二值化处理,求出所述扫描电镜二值化云纹条纹图的灰度共生矩阵;

c).根据所述扫描电镜的放大倍数,确定所述扫描电镜的扫描线周期;

d).将扫描电镜的扫描参数设置成:搜索区间为[1,z],搜索角度分别为0°、45°、90°和135°,搜索初始值设为1像素,分别在0°、45°、90°和135°这4个方向上以搜索初始值1个像素为搜索起点,以1个像素为单次增量逐渐增加,直至搜索位移达到z像素,停止搜索;

e).根据下述公式计算所述灰度共生矩阵的对比度F1

F1=g00+g11

其中,g00是所述的灰度共生矩阵中第1行、第1列的元素;g11是所述的灰度共生矩阵中第2行、第2列的元素;

根据下述公式计算所述灰度共生矩阵的相关性F2

F2=(g11-(g01+g11)×(g10+g11))2(g01+g11)(g00+g10)(g10+g11)(g00+g01)+0.5;]]>

其中,g01是所述的灰度共生矩阵中第1行、第2列的元素;g10是所述的灰度共生矩阵中第2行、第1列的元素;

根据下述公式计算所述灰度共生矩阵的总变化量F3

F3=(g01+g10+2g11)-(g01+g10+2g11)2+2g11

根据下述公式计算所述灰度共生矩阵的差熵F4

F4=0.75-2(g00+g11)(g10+g01)0.75;]]>

根据下述公式计算所述灰度共生矩阵的κ统计量F5

F5=2-(g01+g10)/(1-(g00+g01)(g10+g11)(g01+g11)(g00+g10))2;]]>

根据下述公式计算所述灰度共生矩阵的对比度F1、相关性F2、总变化量F3、差熵F4和κ统计量F5的算数平均值

F~=15ΣFi,i=1,2,3,4,5;]]>

f).分别计算前述d)中提到的搜索区间[1,z]内的所有搜索位移的值,当取最大值时的搜索位移即为所述扫描电镜云纹条纹二值化图的结构主周期d,此时的方向即为结构主方向θ;

g).根据下述公式计算被测纳米多孔材料试样的结构主周期p′:

p=d1+(dp)2+2dpcosφ;]]>

根据下述公式计算被测纳米多孔材料试样的结构主方向sinθ:

sinθ=sinφsin2φ+(dp+cosφ)2.]]>

2.如权利要求1所述的表征方法,其中,可以将待测纳米多孔材料加工成长度为1~10mm的正方形薄膜试样并将其用于观测。

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