[发明专利]晶圆清洗的机制有效

申请号：	201410673482.7	申请日：	2014-11-21
公开（公告）号：	CN104658886B	公开（公告）日：	2018-07-17
发明（设计）人：	尤上源;古绍延;萧壅文;许弘杰;张瑞娟;蔡文璋	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02;H01L21/67
代理公司：	北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409	代理人：	章社杲;李伟
地址：	中国台***	国省代码：	中国台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	晶圆清洗晶圆清洗清洗操作清洗装置单晶
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【权利要求书】：

1.一种用于晶圆清洗的方法，包括：

通过湿台清洗操作清洗晶圆以至少去除光刻胶；以及

此后通过单晶圆清洗操作清洗每个所述晶圆以去除所述晶圆经过所述湿台清洗操作后的颗粒残留物；

其中，所述湿台清洗操作还包括通过升降器承载所述晶圆，所述升降器包括晶圆保持器，用于保持所述晶圆，所述晶圆保持器包括两个竖直侧壁，每个所述竖直侧壁具有多个分隔件和多个凹槽，进一步，所述晶圆保持器进一步包括多个管，所述管形成在每个所述竖直侧壁和所述分隔件中，以将湿蚀刻剂或冲洗溶剂导向邻近的所述晶圆与所述升降器接触的位置，去除该位置的颗粒残留。

2.根据权利要求1所述的用于晶圆清洗的方法，其中，所述湿台清洗操作包括将所述晶圆浸入湿蚀刻剂中。

3.根据权利要求2所述的用于晶圆清洗的方法，其中，所述湿蚀刻剂包括SPM(H₂SO₄，H₂O₂)、APM(NH₄OH，H₂O₂)、SC1(去离子水(DIW)，NH₄OH，H₂O₂)、SC2(DIW，HCl，H₂O₂)、臭氧去离子水、H₃PO₄、稀氢氟酸(DHF)、HF、HF/乙二醇(EG)、HF/HNO₃、NH₄OH或它们的组合。

4.根据权利要求1所述的用于晶圆清洗的方法，其中，在湿台清洗器件中实施所述湿台清洗操作，并且在多个单晶圆清洗器件中实施所述单晶圆清洗操作。

5.根据权利要求4所述的用于晶圆清洗的方法，其中，所述单晶圆清洗操作包括将清洗液喷射至每个所述单晶圆清洗器件中的所述晶圆。

6.根据权利要求5所述的用于晶圆清洗的方法，其中，所述清洗液是去离子水、SPM(H₂SO₄，H₂O₂)、APM(NH₄OH，H₂O₂)、SC1(去离子水(DIW)，NH₄OH，H₂O₂)、SC2(DIW，HCl，H₂O₂)、臭氧去离子水、H₃PO₄、稀氢氟酸(DHF)、HF、HF/乙二醇(EG)、HF/HNO₃、NH₄OH、它们的组合。