[发明专利]PTSL工艺方法、鳍式场效应晶体管的制造方法在审
| 申请号： | 201410671043.2 | 申请日： | 2014-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN105679659A | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 秦长亮;殷华湘;李俊峰;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司 11252 | 代理人： | 党丽;吴兰柱 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ptsl 工艺 方法 场效应 晶体管 制造 | ||
1.一种PTSL工艺方法，其特征在于，包括步骤：
提供衬底，衬底中形成有相互隔离的鳍；
进行第一次离子注入，第一次离子注入为PTSL注入；
进行第二次离子注入，第二次离子注入的剂量和能量小于第一次离子 注入的剂量和能量。
2.根据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于，第二次离子注入的 角度不小于第一离子注入的角度。
3.根据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于，第一次离子注入的 角度范围为0-45°，剂量范围为1E12至1E14cm-2，能量范围为10至 150KEV。
4.根据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于，第二次离子注入的 角度范围为0-45°，剂量范围为1E12至1E14cm-2，能量范围为500EV至 50KEV。
5.根据权利要求1所述的工艺方法，其特征在于，第一次离子注入的 剂量范围为5E12至5E13cm-2，能量范围为30至80KEV，角度范围为0-7°。
6.根据权利要求5所述的工艺方法，其特征在于，第二次离子注入的 剂量范围为5E12至5E13cm-2，能量范围为1至10KEV。
7.根据权利要求6所述的工艺方法，其特征在于，第二次离子注入的 角度0-30°。
8.一种鳍式场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括权利要求1-7 中任一项所述的工艺方法。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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