[发明专利]一种低压高效有机发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种低压高效有机发光二极管，其特征在于：由带有ITO的玻璃衬底、空穴传输层、p型掺杂发光层、i型本征发光层、n型掺杂发光层、电子传输层、复合电子注入层和阴极依次组成叠层结构，其中p型掺杂发光层采用掺入蓝光荧光染料的空穴传输材料；i型本征发光层发光层采用蓝光荧光染料；n型掺杂发光层采用掺入蓝光荧光染料的电子传输材料，这三层发光层简称p-i-n发光层，复合电子注入层由插入薄铝层的碳酸铯组成，各层薄膜的厚度分别为空穴传输层30nm,p型掺杂发光层12nm, i型本征发光层20nm，n型掺杂发光层15nm，电子传输层30nm,复合电子注入层中碳酸铯的总厚度为1nm,其中薄铝层的厚度为0.8nm,阴极为金属铝，膜厚为120nm。

2.根据权利要求1所述低压高效有机发光二极管，其特征在于：所述空穴传输层为N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（NPB），p型掺杂发光层为n-(4-(E)-2-(6-(E)-4-(二苯基氨基)苯乙烯基)2萘-1-基)乙烯基)苯基)-二甲氧基三苯（N-BDAVBi）掺杂N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（NPB），掺杂比例为6wt%，i型本征发光层为n-(4-(E)-2-(6-(E)-4-(二苯基氨基)苯乙烯基)2萘-1-基)乙烯基)苯基)-二甲氧基三苯（N-BDAVBi），n型掺杂发光层为n-(4-(E)-2-(6-(E)-4-(二苯基氨基)苯乙烯基)2萘-1-基)乙烯基)苯基)-二甲氧基三苯（N-BDAVBi）掺杂双2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8-1,1'-联苯-4-羟基铝（BAlq），掺杂比例为3wt%，电子传输层为双2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8-1,1'-联苯-4-羟基铝（BAlq），复合电子注入层为三明治结构，由两层膜厚为0.5nm的碳酸铯（Cs₂CO₃）夹着0.8nm的金属铝组成，阴极为金属铝(Al)，膜厚为120nm。

3.一种如权利要求1所述低压高效有机发光二极管的制备方法，其特征在于步骤如下：首先将带有ITO的玻璃衬底用洗涤剂进行清洗，然后依次用去离子水、丙酮、异丙醇超声清洗15分钟，之后放入真空干燥箱中，在150℃下，烘干30分钟；然后利用紫外臭氧对带有ITO的玻璃衬底进行处理；最后采用真空蒸镀沉积的方法依次制备各层薄膜。