[发明专利]一种动态偏置超再生接收机

权利要求书

1.一种动态偏置超再生接收机，其特征在于：该超再生接收机采用了一种自检测加速起振超再生震荡器，所述超再生振荡器在常规超再生振荡器的基础上加入了峰值检测器、比较器以及辅助尾电流源电路；所述超再生振荡器的输出端连接峰值检测器连接比较器，比较器的输出端作为辅助尾电流源电路的控制信号。

2.根据权利要求1所述的一种动态偏置超再生接收机，其特征在于：所述常规超再生振荡器包括电容、电感、电阻以及若干MOS管，其中，NMOS管M5和NMOS管M6构成电流镜负载，并联电容、电感和PMOS管M7；NMOS管M5支路连接输入信号端Vin1的漏极，NMOS管M6支路连接输入信号端Vin2的漏极，PMOS管M7的源极连接NMOS管M6支路，漏极连接NMOS管M5支路输入信号端Vin1、Vin2的源极相连，并且连接PMOS管M3的漏极；外部电源串联电阻和PMOS管M1，PMOS管M1支路镜像得到PMOS管M3支路。

3.根据权利要求2所述的一种动态偏置超再生接收机，其特征在于：所述常规的超再生振荡器与辅助尾电流源电路构成了具有辅助尾电流源的自检测动态偏置振荡器电路，其中辅助电流源包括PMOS管M2支路，其由PMOS管M1支路镜像到PMOS管M2支路构成，传输门和M4开关管构成控制开关，比较器输的控制信号CON控制该支路的开启；具体的，传输门由一个PMOS管M8和一个NMOS管M9并联组成，NMOS管M9的漏极以及PMOS管M8的源极连接PMOS管M1的栅极，PMOS管M8的漏极以及NMOS管M9的源极连接PMOS管M2的栅极以及PMOS管M4的源极，NMOS管M9的栅极连接PMOS管M4的栅极，PMOS管M8的栅极连接比较器输的控制信号CON再连接PMOS管M4的栅极；PMOS管M2的漏极连接输入信号端，源极接地；PMOS管M4漏极接地。

4.根据权利要求2所述的一种动态偏置超再生接收机，其特征在于：所述峰值检测器包括二极管、电阻、电容，所述二极管的正极连接输入信号，负极并联电阻以及电感，电阻和电感的另一端接地；所述二极管的负极作为输出信号端；当二极管导通时，输入信号通过二极管向电容充电，电容上的电位升高；当二极管截止时，电容通过电阻放电，电位降低。

5.根据权利要求2所述的一种动态偏置超再生接收机，其特征在于：所述比较器电流包括M1至M7的单个MOS管，其中NMOS管M3、NMOS管M4、NMOS管M6的漏极接外部高电平VDD， PMOS管M5、PMOS管M7的源极接地；NMOS管M3的栅极连接其源极，并且连接NMOS管M4的栅极；NMOS管M3的源极连接PMOS管M1的漏极，NMOS管M4的源极连接PMOS管M2的漏极；PMOS管M1的栅极连接输入信号Vin，PMOS管M2的栅极连接参考电压Vref，PMOS管M1以及PMOS管M2的源极连接PMOS管M5的漏极；NMOS管M4的源极连接NMOS管M6的栅极，NMOS管M6的源极连接PMOS管M7漏极，并且作为输出信号端Vout；偏置电压源V_BIAS 连接PMOS管M7的栅极。