[发明专利]改善浅沟槽隔离边缘SiC应力性能的方法

权利要求书

1.一种改善浅沟槽隔离边缘SiC应力性能的方法，其特征在于包括：

在硅衬底中形成进行浅沟槽隔离；

进行阱注入形成N型阱和/或P型阱；

制作栅极氧化层，执行栅极多晶硅材料的淀积，并进行栅极多晶硅的光刻形成栅极；

通过原子淀积生成的二氧化硅保护层。

2.根据权利要求1所述的改善浅沟槽隔离边缘SiC应力性能的方法，其特征在于还包括步骤：

制作第一栅极侧墙；

进行PMOS轻掺杂注入形成PMOS器件漏轻掺杂结构；

进行锗硅外延生长工艺；

进行NMOS轻掺杂注入形成NMOS器件漏轻掺杂结构；

制作第二栅极侧墙，第二栅极侧墙包括SiO₂层和SiN层；

形成NMOS源漏SiC外延区。

3.根据权利要求1或2所述的改善浅沟槽隔离边缘SiC应力性能的方法，其特征在于，在硅衬底中形成进行浅沟槽隔离的步骤包括：

首先在硅衬底表面依次淀积第一厚度的垫层二氧化硅层和第二厚度的垫层氮化硅层；其中，针对使用的光刻工艺，选择垫层二氧化硅层的第一厚度来控制将要形成的浅沟槽隔离的高度，并且选择垫层二氧化硅层的第一厚度以满足光刻条件并满足第二厚度的垫层氮化硅层的应力要求；

然后对垫层二氧化硅层、垫层氮化硅层和硅衬底进行有源区光刻和刻蚀以便在硅衬底中形成凹槽；

随后在凹槽中填充二氧化硅并通过化学机械研磨对填充的二氧化硅进行平坦化处理以得到浅沟槽隔离；

然后剥离垫层氮化硅层，并部分地去除垫层二氧化硅层而留下预定残留厚度的垫层二氧化硅层。

4.根据权利要求2所述的改善浅沟槽隔离边缘SiC应力性能的方法，其特征在于，垫层二氧化硅层的第一厚度被选择为满足光刻条件并满足第二厚度的垫层氮化硅层的应力要求的最大厚度。

5.根据权利要求1或2所述的改善浅沟槽隔离边缘SiC应力性能的方法，其特征在于，在硅衬底中形成进行浅沟槽隔离的步骤使得浅沟槽隔离的上表面高于硅片衬底的上表面。

6.根据权利要求1或2所述的改善浅沟槽隔离边缘SiC应力性能的方法，其特征在于，在硅衬底中形成进行浅沟槽隔离的步骤使得浅沟槽隔离的上表面不低于硅片衬底的上表面。

7.根据权利要求1或2所述的改善浅沟槽隔离边缘SiC应力性能的方法，其特征在于，形成NMOS源漏SiC外延区的步骤包括：首先淀积作为SiC生长阻挡层的氮化硅层，利用氮化硅层进行光刻以定义SiC区域，接着针对SiC区域进行嵌壁硅干法刻蚀以形成U-型硅凹槽。

8.根据权利要求1或2所述的改善浅沟槽隔离边缘SiC应力性能的方法，其特征在于，所述方法用于制造MOS晶体管。