[发明专利]存储设备寿命预测、确定方法及装置有效

专利信息
申请号: 201410664570.0 申请日: 2014-11-19
公开(公告)号: CN104376875B 公开(公告)日: 2017-09-05
发明(设计)人: 余霄;章根林;张睿夫 申请(专利权)人: 华为数字技术(苏州)有限公司
主分类号: G11C29/10 分类号: G11C29/10
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 代理人: 逯长明,许伟群
地址: 215123 江苏省苏州市苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 存储 设备 寿命 预测 确定 方法 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及数据存储技术领域,特别是涉及一种存储设备寿命确定方法及装置。

背景技术

SSD(Solid State Disk,固态硬盘)是最近几年发展起来的,一种基于Nand Flash(半导体固态存储器)作为存储介质的新型存储技术,与传统机械硬盘相比,SSD具有读写速度快、抗震能力强、温度范围大、体积小、重量轻等优点。

SSD擦写寿命的定义为:对于Flash来说,其存储单元是可重复使用的,在使用时操作顺序是:擦-写-读,三种操作循环进行,1个擦-写-读循环被称为1个PE cycle(Program Erase Cycle,擦写循环次数);Flash最小的擦写操作单位为block(数据块),当某个block经过多次的擦写操作后,在某一次进行读操作时,如果发生UNC(Uncorrected-Error,不可恢复错误),那么就认为该block寿命终止,被添加进坏块。从理论上讲,当Flash中所有的block都成为坏块时,才会认为该Flash寿命终止,但是在实际使用中,不会等到所有的block都成为坏块后才宣布Flash寿命截止;而是在保证SSD功能正常,且容量不受影响,以及不影响用户使用的情况下,给出一个最小的擦写寿命门限,该最小的擦写寿命门限即为擦写寿命。

因此如何准确确定SSD的擦写寿命是当前亟待解决的一个问题。

发明内容

本发明提供了一种存储设备寿命确定方法及装置,以解决现有技术中的无法准确确定SSD的擦写寿命的问题。

为了解决上述技术问题,本发明实施例公开了如下技术方案:

本发明的第一方面,提供了一种存储设备寿命预测方法,所述方法包括:

获取存储设备的累计失效数据块数量,以及,与所述累计失效数据块数量对应的累计擦写次数;

判断所述累计失效数据块数量是否大于预设失效数据块限值;

当所述累计失效数据块数量大于预设失效数据块限值时,利用所述累计擦写次数以及所述累计失效数据块数量确定与所述存储设备对应的预测模型;

利用所述预测模型预测所述存储设备的擦写次数阈值。

结合第一方面,在第一方面第一种可能的实现方式中,所述获取所述存储设备的累计失效数据块数量,以及,与所述累计失效数据块数量对应的累计擦写次数,包括:

监测所述存储设备中所有数据块的擦写循环;

若所述存储设备中任意一个数据块完成一次擦写循环,将所述累计擦写次数增加1;

检测所述存储设备中的数据块是否出现不可恢复错误UNC;

当检测到所述存储设备中任意一个数据块出现UNC时,且将所述累计失效数据块数量增加1;

将当前累计擦写次数确定为与当前累计失效数据块数量对应的累计擦写次数。

结合第一方面,在第一方面第二种可能的实现方式中,所述利用所述累计擦写次数以及所述累计失效数据块数量确定与所述存储设备对应的预测模型,包括:

利用累计失效数据块数量以及所述存储设备的数据块总量,计算所述存储设备的失效率;

利用所述累计擦写次数以及所述失效率生成与所述存储设备对应的预测模型,所述预测模型为:

其中,T0为擦写次数阈值,M0=(1-λ)Mmax+λMmin,(0<λ≤1),λ为比例参数,初始值设置为1,Mmax为最大形状参数,所述Mmax根据擦写次数增加和UNC数据块增加变化,初始值设置为m0,Mmin为最小形状参数,所述Mmin根据擦写次数增加和UNC数据块增加变化,初始值设置为m0,m0为初始形状参数,初始值设置为一常量;F(t)为失效率,并且F(t)=1-exp[-(t/η)m],t∈N*,其中,m为形状参数,η为平均寿命,t为当前累计擦写次数;NR为累计失效数据块数量,NA为所述存储设备中的数据块总量,α为保护裕量。

本发明第二方面,提供了一种存储设备寿命确定方法,包括:

获取存储设备的累计失效数据块数量,以及,与所述累计失效数据块数量对应的累计擦写次数;

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