[发明专利]半导体组件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体组件的制作方法，其特征在于，包含以下步骤：

提供一半导体元件；

提供一中介层，其包含一第一表面、与该第一表面相反的一第二表面、该第一表面上的多个第一接触垫、该第二表面上的多个第二接触垫、以及电性耦接该些第一接触垫与该些第二接触垫的多个贯孔；

通过多个凸块电性耦接该半导体元件至该中介层的该些第二接触垫，以形成一芯片-中介层堆叠次组件；

提供一基底载体，其具有一第一表面、相反的一第二表面、以及延伸穿过该基底载体的该第一表面与该第二表面间的一贯穿开口；

使用一黏着剂贴附该芯片-中介层堆叠次组件至该基底载体，并使该半导体元件插入该贯穿开口中，且该中介层侧向延伸于该贯穿开口外；以及

在该芯片-中介层堆叠次组体贴附至该基底载体后，于该中介层的该第一表面上以及该基底载体的该第一表面上形成一第一增层电路，其中该第一增层电路通过该第一增层电路的多个第一导电盲孔电性耦接至该中介层的该些第一接触垫。

2.根据权利要求1所述的方法，其中该电性耦接该半导体元件至该中介层的该些第二接触垫的步骤以面板规模进行，并且在该贴附该芯片-中介层堆叠次组件至该基底载体的步骤前执行一单片化步骤，以分离各个的芯片-中介层堆叠次组件。

3.根据权利要求1所述的方法，其中该基底载体包括一定位件，其位于该基底载体的该第一表面上且自该第一表面凸出，并且该芯片-中介层堆叠次组件通过该定位件侧向对准与靠近该中介层的外围边缘并延伸超过该中介层的该第二表面，以贴附至该基底载体。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，包含下述步骤：贴附一盖板于该半导体元件上及该基底载体的该第二表面上。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，包含下述步骤：形成一第二增层电路于该半导体元件上及该基底载体的该第二表面上，其中该第二增层电路通过该第二增层电路的多个第二导电盲孔，以热性导通至该半导体元件或电性耦接至该基底载体。

6.根据权利要求1所述的方法，其中该第一增层电路包含多个额外的第一导电盲孔，以电性耦接至该基底载体。

7.一种半导体组件，其特征在于，通过下述步骤制成：

提供一半导体元件；

提供一中介层，其包含一第一表面、与该第一表面相反的一第二表面、该第一表面上的多个第一接触垫、该第二表面上的多个第二接触垫、以及电性耦接该些第一接触垫与该些第二接触垫的多个贯孔；

通过多个凸块电性耦接该半导体元件至该中介层的该些第二接触垫，以形成一芯片-中介层堆叠次组件；

提供一基底载体，其具有一第一表面、相反的一第二表面、以及延伸穿过该基底载体的该第一表面与该第二表面间的一贯穿开口；

使用一黏着剂贴附该芯片-中介层堆叠次组件至该基底载体，并使该半导体元件插入该贯穿开口中，且该中介层侧向延伸于该贯穿开口外；以及

在该芯片-中介层堆叠次组体贴附至该基底载体后，于该中介层的该第一表面上以及该基底载体的该第一表面上形成一第一增层电路，其中该第一增层电路通过该第一增层电路的多个第一导电盲孔电性耦接至该中介层的该些第一接触垫。

8.一种半导体组件，其特征在于，包含：

一半导体元件；

一中介层，其具有一第一表面、与该第一表面相反的一第二表面、该第一表面上的多个第一接触垫，该第二表面上的多个第二接触垫、以及电性耦接该些第一接触垫与该些第二接触垫的多个贯孔；

一基底载体，其具有一第一表面、相反的一第二表面、以及延伸穿过该基底载体的该第一表面与该第二表面间的一贯穿开口；以及

一第一增层电路，其形成于该中介层的该第一表面上及该基底载体的该第一表面上，其中该第一增层电路通过该第一增层电路的多个第一导电盲孔电性耦接至该中介层的该些第一接触垫，

其中该半导体元件通过多个凸块电性耦接至该中介层的该些第二接触垫，以形成一芯片-中介层堆叠次组件；且

该芯片-中介层堆叠次组件通过一黏着剂贴附至该基底载体，并且该半导体元件插入该贯穿开口中，且该中介层侧向延伸于该贯穿开口外。

9.根据权利要求8所述的半导体组件，其中该基底载体包括一定位件，其位于该基底载体的该第一表面上并自该第一表面凸出，且该定位件侧向对准与靠近该中介层的外围边缘，并延伸超过该中介层的该第二表面。