[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201410663619.0 | 申请日： | 2011-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN104465408B | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L21/4757;H01L21/473 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 李啸,汤春龙 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：
在等离子体装置的工作台上设置衬底，在所述衬底设置有氧化物半导体和绝缘膜，
其中，所述工作台连接至高频电源；
并且其中，所述氧化物半导体设置在所述衬底上，并且所述绝缘膜设置在所述氧化物半导体上；以及
通过将来自所述高频电源的高频电力施加到所述工作台来对所述绝缘膜进行氧掺杂处理，以便将氧供给至所述绝缘膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘膜是从由氧化硅膜、氧氮化硅膜、氧化铝膜、氧氮化铝膜以及氧化镓膜组成的组中选择的绝缘膜。
3.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：
在衬底上形成氧化物半导体；
在所述氧化物半导体上形成第一绝缘膜；
在等离子体装置的工作台上设置所述衬底，在所述衬底设置有所述氧化物半导体和所述第一绝缘膜，其中，所述工作台连接至高频电源；
通过将来自所述高频电源的高频电力施加到所述工作台来对所述第一绝缘膜进行氧掺杂处理，以便将氧供给至所述第一绝缘膜；
在进行所述氧掺杂处理后进行热处理；以及
在所述第一绝缘膜上形成第二绝缘膜。
4.根据权利要求1或3所述的方法，其中所述氧化物半导体包括铟、锌以及除铟和锌以外的金属元素。
5.根据权利要求1或3所述的方法，其中所述等离子体装置是灰化装置。
6.根据权利要求1或3所述的方法，其中所述工作台配备有加热系统。
7.根据权利要求1或3所述的方法，
其中所述高频电源是第一高频电源，
并且其中，所述等离子体装置包括感应耦合等离子体线圈，并且第二高频电源连接至所述感应耦合等离子体线圈。
8.根据权利要求1或3所述的方法，其中所述高频电力的频率是3.2MHz。
9.根据权利要求1或3所述的方法，其中用于掺杂的所述氧包括氧自由基、氧原子和氧离子中的任一个。
10.根据权利要求1或3所述的方法，其中通过所述氧掺杂处理将所述氧供给至所述氧化物半导体。
11.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一绝缘膜是从由氧化硅膜、氧氮化硅膜、氧化铝膜、氧氮化铝膜以及氧化镓膜组成的组中选择的绝缘膜。
12.根据权利要求3所述的方法，其中在形成所述氧化物半导体期间衬底温度设置成100℃以上且600℃以下的温度。
13.根据权利要求3所述的方法，其中所述热处理的温度为250℃以上且750℃以下。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
