[发明专利]一种宽带反射式1/4波片在审
| 申请号： | 201410663285.7 | 申请日： | 2014-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN104330847A | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 胡安铎;初凤红 | 申请（专利权）人： | 上海电力学院 |
| 主分类号： | G02B5/30 | 分类号： | G02B5/30 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 林君如 |
| 地址： | 200090 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 宽带 反射 | ||
【权利要求书】：
1.一种宽带反射式1/4波片，包括基底(5)，其特征在于，在基底(5)上依次镀设氧化铝膜(4)、银膜(3)、氧化铝膜(2)和氧化硅膜(1)，
所述的氧化硅层(1)内刻蚀形成矩形槽光栅，该光栅的周期为1178～1188纳米，刻蚀深度为2517～2527纳米，占空比为0.255。
2.根据权利要求1所述的一种宽带反射式1/4波片，其特征在于，所述的矩形槽光栅的周期为1183纳米，刻蚀深度为2522纳米。
3.根据权利要求1所述的一种宽带反射式1/4波片，其特征在于，所述的矩形槽光栅的脊宽为300～303纳米。
4.根据权利要求3所述的一种宽带反射式1/4波片，其特征在于，所述的矩形槽光栅的脊宽优选301.5纳米。
5.根据权利要求1所述的一种宽带反射式1/4波片，其特征在于，所述的氧化铝膜(2)为连接层，厚度为56～66纳米。
6.根据权利要求5所述的一种宽带反射式1/4波片，其特征在于，所述的氧化铝膜(2)的厚度优选61纳米。
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