[发明专利]即时数据的储存方法及储存装置有效

专利信息
申请号: 201410660485.7 申请日: 2014-11-19
公开(公告)号: CN105677233B 公开(公告)日: 2019-02-26
发明(设计)人: 周博;郭平日;李奇峰;杨云 申请(专利权)人: 比亚迪股份有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 张大威
地址: 518118 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 即时 数据 储存 方法 装置
【说明书】:

发明公开一种闪存存储即时数据的储存方法,闪存包括多个存储单元,储存方法包括步骤:S1:运算逻辑从缓存逻辑中读取上次即时数据,上次即时数据储存在第一存储单元;S2:缓存逻辑存储当前即时数据,运算逻辑判断当前即时数据与上次即时数据是否相同,若是则进入步骤S3,若否则进入步骤S4;S3:数据存储控制逻辑不存储当前即时数据至存储单元;及S4:数据存储控制逻辑将当前即时数据写入第一存储单元以覆盖上次即时数据,或将当前即时数据写入第二存储单元。上述储存方法,通过判断输入的当前即时数据与存储的上次即时数据是否相同,而作相应的动作,避免了不需要的即时数据存储过程,提高了MCU和CPU的工作效率。本发明还公开一种储存装置。

技术领域

本发明涉及数据储存领域,尤其是涉及一种即时数据的储存方法及储存装置。

背景技术

当前MCU(micro controller unit)控制领域发展迅速,其中需要支持即时存储的应用方案和产品需求不断增多,比如温控领域每一时刻温度的记录,设备每一秒钟数据的记录,或者用户使用习惯信息的保存等等。

上述数据信息需要MCU即使在切断电源的条件下也能被保存,或用于下一次MCU工作的前提条件而不能被丢失。因此,现有技术一方面使用EEPROM进行该类数据信息的即时存储,即每一个固定时刻(例如:每一秒)将需要保存的数据信息写入EEPROM,确保在MCU停止或电源切断的情况下继续长时间保存数据信息;另一方面使用Flash(闪存)存储体代替EEPROM进行上述相同操作,其很大程度上解决了使用EEPROM导致的高成本问题,目前该方案逐渐成为MCU该类功能设计实现的主要方法。

使用Flash存储体代替EEPROM进行即时数据信息的储存,当前技术主要是实现在同一片Flash存储空间中划分出一小部分,来作为即时数据信息的存储空间。即同一片Flash存储体中存储了MCU的固化程序和即时数据信息两种数据。在MCU实际工作中,同一片Flash存储体固化程序的读取和即时数据信息的存储功能进行分时复用,即在MCU的CPU读取Flash存储体的固化程序时,即时数据信息是不能够被同时存储的;在存储即时数据信息时,CPU需要暂停对Flash存储体的固化程序的读取直至存储即时数据的过程完成。以此,实现Flash存储体用作即时存储单元来存储即时数据的功能。

上述使用Flash存储体代替EEPROM进行即时数据信息保存的方法,具有以下不足:由于Flash存储体的特点主要是读取数据非常快,但擦除和写入数据的步骤和规则却很复杂很慢(读取和写入的速度和效率相比可以用1000倍差来衡量,而读取和擦除的速度和效率相比可以用10002倍差来衡量),;对于MCU本身来说,Flash存储体存储的是固化的程序,其用于MCU正常工作使用,在MCU正常工作的过程中,Flash存储体以及其对应的控制器会随时处于忙碌状态,用于CPU读取Flash存储体中的固化程序;一旦即时数据信息需要被即时保存时,CPU必须暂停对Flash存储体中固化程序的读取,让出Flash存储体及控制器的使用权限,使即时数据存储控制逻辑能立刻保存数据信息到同一片Flash存储体的即时数据存储空间内。

因此,由上可知,上述过程致使MCU和CPU的处理速度和性能大大降低,在存储即时数据的过程中,CPU处于空闲较长的暂停状态,浪费性能资源。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本发明需要提出一种闪存存储体用作即时存储单元来存储即时数据的储存方法及一种储存装置。

一种闪存存储体用作即时存储单元来存储即时数据的储存方法,该闪存存储体包括用于储存该即时数据的多个存储单元,该多个存储单元包括第一存储单元及第二存储单元,该储存方法包括步骤:

S1:运算逻辑从缓存逻辑中读取上次即时数据,该上次即时数据已储存在该第一存储单元;

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