[发明专利]基于直角源场板和直角漏场板的复合场板功率器件

权利要求书

1.一种基于直角源场板和直角漏场板的复合场板功率器件，自下而上包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、钝化层(8)和保护层(13)，势垒层的上面淀积有源极(4)、肖特基漏极(5)及栅极(7)，势垒层的侧面刻有台面(6)，且台面深度大于势垒层厚度，其特征在于：

钝化层(8)内刻有源槽(9)和漏槽(10)；

钝化层(8)与保护层(13)之间淀积有直角源场板(11)和直角漏场板(12)；

所述直角源场板(11)与源极(4)电气连接，且下端完全填充在源槽(9)内，且直角源场板(11)靠近栅极一侧边缘与源槽靠近栅极一侧边缘对齐；

所述直角漏场板(12)与肖特基漏极(5)电气连接，且下端完全填充在漏槽(10)内，且直角漏场板(12)靠近肖特基漏极一侧边缘与漏槽靠近肖特基漏极一侧边缘对齐。

2.根据权利要求1所述的基于直角源场板和直角漏场板的复合场板功率器件，其特征在于源槽靠近栅极，漏槽靠近肖特基漏极，源槽的深度s₁与漏槽的深度s₂相等，且均为0.59～13.1μm，源槽的宽度b₁与漏槽的宽度b₂相等，且均为1.01～11.8μm；源槽的底部与势垒层之间的距离d₁和漏槽的底部与势垒层之间的距离d₂相等，且均为0.112～2.52μm。

3.根据权利要求1所述的基于直角源场板和直角漏场板的复合场板功率器件，其特征在于直角源场板靠近肖特基漏极一侧边缘与源槽靠近肖特基漏极一侧边缘之间的距离c₁为1.13～13.6μm；直角漏场板靠近栅极一侧边缘与漏槽靠近栅极一侧边缘之间的距离c₂为1.13～13.6μm；所述的直角源场板靠近肖特基漏极一侧边缘与直角漏场板靠近栅极一侧边缘之间的距离L为3.7～11.2μm。

4.根据权利要求1所述的基于直角源场板和直角漏场板的复合场板功率器件，其特征在于源槽靠近栅极一侧边缘与栅极靠近肖特基漏极一侧边缘之间的距离a₁和漏槽靠近肖特基漏极一侧边缘与肖特基漏极靠近栅极一侧边缘之间的距离a₂相等，源槽靠近栅极一侧边缘与栅极靠近肖特基漏极一侧边缘之间的距离a₁为s₁×(d₁)^0.5，其中s₁为源槽的深度，d₁为源槽底部与势垒层之间的距离；漏槽靠近肖特基漏极一侧边缘与肖特基漏极靠近栅极一侧边缘之间的距离a₂为s₂×(d₂)^0.5，其中s₂为漏槽的深度，d₂为漏槽底部与势垒层之间的距离。

5.根据权利要求1所述的基于直角源场板和直角漏场板的复合场板功率器件，其特征在于衬底(1)采用蓝宝石或碳化硅或硅材料。