[发明专利]液晶显示面板及其阵列基板有效

专利信息
申请号: 201410659998.6 申请日: 2014-11-18
公开(公告)号: CN104360554B 公开(公告)日: 2017-07-07
发明(设计)人: 陈政鸿;张天豪;郭晋波 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;G02F1/1343;H01L27/12
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280 代理人: 何青瓦
地址: 518000 广东省深圳市光明新区公*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 液晶显示 面板 及其 阵列
【说明书】:

技术领域

发明涉及液晶显示技术领域,特别是涉及一种液晶显示面板及其阵列基板。

背景技术

在VA(Vertical Alignment,垂直调整技术)型液晶显示面板的像素结构中,阵列基板上的数据线分布于相邻像素单元之间且与扫描线相垂直,彩色滤光片基板上设置有与数据线和扫描线相对应的用于防止漏光的黑矩阵。为解决黑矩阵导致的开口率减小的问题,业界普遍将每一像素单元的像素电极划分为多个区域。然而,由于多个区域之间对应的液晶分子受到的取向电场强度不同,导致液晶显示面板在显示时会不可避免的出现暗纹,从而降低像素单元的穿透率和开口率。

发明内容

有鉴于此,本发明实施例所要解决的技术问题是提供一种液晶显示面板及其阵列基板,以提高像素单元的穿透率和开口率。

为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种阵列基板,包括多个像素单元,每一像素单元的像素电极对应连接至少一条数据线,每一像素单元的像素电极包括呈矩阵分布的多个区域,其中,数据线对应设置于相邻两排的区域之间。

其中,每一像素单元的像素电极对应连接一条数据线,每一像素单元的像素电极包括第一区域、第二区域、第三区域和第四区域,第一区域与第二区域并排设置,第一区域与第四区域对角设置,第二区域与第三区域对角设置,数据线对应设置于第一区域与第二区域之间,以及第三区域和第四区域之间。

其中,第一区域的电极图案与第四区域的电极图案的电极走向相同,第二区域的电极图案与第三区域的电极图案的电极走向相同。

其中,第一区域的电极图案与第四区域的电极图案的电极走向呈第一方向,第二区域的电极图案与第三区域的电极图案的电极走向呈第二方向,且第一方向与第二方向相互垂直。

其中,第一区域、第二区域、第三区域和第四区域的面积相等。

其中,每一像素电极包括多个条状的间隙、多个条状的第一电极图案以及第二电极图案和第三电极图案,间隙与第一电极图案交错设置,第二电极图案环绕第一区域、第二区域、第三区域和第四区域设置,第三电极图案用于定义第一区域、第二区域、第三区域和第四区域。

其中,每一像素单元的像素电极对应连接至少两条数据线,沿重力方向,像素电极的各区域的高度不相等,且沿垂直于数据线的延伸方向,像素电极的各区域的宽度相等。

其中,在每一像素单元中,相邻两条数据线之间的距离不相同。

其中,每一像素单元的像素电极对应连接一条扫描线。

为解决上述技术问题,本发明采用的另一个技术方案是:提供一种液晶显示面板,该液晶显示面板包括液晶层、彩色滤光片基板以及上述阵列基板,彩色滤光片基板和阵列基板相对间隔设置,液晶层填充于彩色滤光片基板和阵列基板之间。

通过上述技术方案,本发明实施例所产生的有益效果是:本发明实施例通过将数据线对应设置于每一像素单元的像素电极的多个区域之间,使得不透光的数据线与显示时对应出现于多个区域之间的暗纹相重叠,相当于减小了数据线对应的遮光面积,增加了数据线对应的透光区域,从而能够提高像素单元的穿透率和开口率。

附图说明

图1是本发明优选实施例的液晶显示面板的剖视图;

图2是本发明液晶显示面板中第一实施例的像素结构的示意图;

图3是图2所示液晶显示面板中一个像素单元的结构示意图;

图4是本发明液晶显示面板中第二实施例的像素结构的一个像素单元的结构示意图;

图5是本发明液晶显示面板中第三实施例的像素结构的一个像素单元的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,本发明以下所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。

图1是本发明优选实施例的液晶显示面板的剖视图,图2是图1所示液晶显示面板的像素结构的示意图。请参阅图1和图2所示,液晶显示面板10包括第一基板11、第二基板12和夹设于两者之间的液晶层13,其中第一基板11和第二基板12相对间隔设置,第二基板12为CF(Color Filter,彩色滤光片)彩膜基板,第一基板11为TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)阵列基板,其包括透明基体以及设置于该透明基体上的各种配线和像素电极等。具体地,

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