[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

晶片焊盘，其具有第一面和与所述第一面相反一侧的第二面；

半导体芯片，其具有主面、形成于所述主面上的多个接合电极、以及与所述主面相反一侧的背面，所述半导体芯片以所述背面与所述晶片焊盘的所述第一面相对的方式，介由粘晶材料搭载于所述晶片焊盘的所述第一面上；

多个引线，经由多个导线而与所述多个接合电极分别电连接；

封固体，其具有位于所述半导体芯片的所述主面一侧的上表面、与所述上表面相反一侧的下表面、位于所述上表面与所述下表面之间的第一侧面、以及位于所述上表面与所述下表面之间且与所述第一侧面为相反侧的第二侧面，所述封固体将所述半导体芯片及所述多个导线封固，

所述半导体芯片主要由具有第一线膨胀系数的第一部件构成，

所述封固体主要由具有高于所述第一线膨胀系数的第二线膨胀系数的第二部件构成，

所述多个引线分别具有被所述封固体封固的内引线部和从所述封固体露出的外引线部，

所述外引线部具有：第一部分，其与所述内引线部相连，且在沿着所述封固体的所述上表面的水平方向上延伸；第二部分，其经由第一弯折部而与所述第一部分相连，所述第一弯折部是向从所述上表面朝向所述下表面的所述封固体的厚度方向上将所述外引线部弯折而成；第三部分，其经由第二弯折部而与所述第二部分相连，所述第二弯折部是向水平方向将所述外引线部弯折而成，

所述多个引线包括：第一引线，其经由所述多个导线中的第一导线而与所述多个接合电极中的第一接合电极电连接，并且所述第一引线从所述封固体的所述第一侧面突出；第二引线，其经由所述多个导线中的第二导线而与所述多个接合电极中的第二接合电极电连接，并且所述第二引线从所述封固体的所述第二侧面突出，

在剖视中，所述半导体芯片位于所述第一引线的所述内引线部与所述第二引线的所述内引线部之间，

在剖视中，所述半导体芯片的厚度大于所述封固体中的从所述晶片焊盘的所述第二面到所述封固体的所述下表面的厚度，

在剖视中，所述封固体中的从所述晶片焊盘的所述第二面到所述封固体的所述下表面的厚度大于所述晶片焊盘和所述粘晶材料各自的厚度，

在剖视中，所述多个引线的各自的托起高度大于0.40mm且小于从所述封固体的所述上表面到所述封固体的所述下表面的厚度，

所述托起高度是所述封固体的所述厚度方向上的、从所述封固体的所述下表面到所述外引线部的所述第三部分的距离，

在剖视中，所述多个引线的各自的所述托起高度大于所述多个引线的各自的从所述内引线部中的位于所述半导体芯片的所述主面一侧的上表面到所述封固体的所述上表面的厚度、或者大于所述多个引线的各自的从所述内引线部中的位于所述晶片焊盘的所述第二面一侧的下表面到所述封固体的所述下表面的厚度。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述第一部件为硅，所述第二部件为环氧树脂。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述封固体中的从所述封固体的所述上表面到所述封固体的所述下表面的厚度为1.40mm或1.00mm。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，

所述多个引线各自的厚度为0.125mm或0.15mm。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

所述半导体芯片的厚度大于所述封固体中的、从所述半导体芯片的所述主面到所述封固体的所述上表面的厚度。

6.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，

所述半导体器件是QFP(Quad Flat Package)。