[发明专利]一种基于石墨烯纳米墙的柔性温度传感器及其制备方法有效
| 申请号： | 201410658276.9 | 申请日： | 2014-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN104374486B | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 褚金;杨俊;魏大鹏;宋雪芬;李占成;史浩飞;杜春雷 | 申请（专利权）人： | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 |
| 主分类号： | G01K7/16 | 分类号： | G01K7/16 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 400714 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 石墨烯 聚合物 制备 柔性温度传感器 温度传感器 聚合物复合材料 聚合物双层 生物兼容性 光电器件 加工方便 金属导线 柔性电子 三层结构 仪器仪表 灵敏度 上表面 下表面 重量轻 电极 复形 管式 刷涂 旋涂 用银 嵌入 皮肤 上层 复合 应用 | ||
1.一种基于石墨烯纳米墙的柔性温度传感器，其特征在于：该温度传感器包括：聚合物和石墨烯纳米墙，所述聚合物复合在石墨烯纳米墙的下表面同时又嵌入在石墨烯纳米墙的上表面；所述聚合物为PDMS、PU或PET。
2.一种基于石墨烯纳米墙的柔性温度传感器的制备方法，其特征在于：该制备方法包括以下步骤：
S1：制备石墨烯纳米墙：在金属或柔性基底上采用管式CVD制备石墨烯纳米墙；
S2：转移石墨烯纳米墙：将制备的石墨烯纳米墙用聚合物转移，形成石墨烯纳米墙/聚合物双层结构；所述聚合物为PDMS、PU或PET；
S3：制作电极：将金属导线与石墨烯纳米墙两端连接作为电极；
该制备方法中的S2包括以下步骤：
S21：将所得的石墨烯纳米墙置于腐蚀液中，将金属基底完全去除掉；
S22：用厚度为50um的聚合物从下方将石墨烯纳米墙捞起并结合；
S23：将所得的结构用去离子水、盐酸反复清洗；
S24：氮气吹干获得石墨烯纳米墙/ 聚合物两层结构温度传感器；
该制备方法中的S2还包括以下步骤：
S25：在石墨烯纳米墙上再旋涂一层厚度为50um的聚合物，形成聚合物/石墨烯纳米墙/聚合物三层结构的温度传感器。
3.根据权利要求2所述的一种基于石墨烯纳米墙的柔性温度传感器的制备方法，其特征在于：该制备方法还包括步骤S4：将上述所得的温度传感器与电源、仪表连接，逐渐改变温度进行传感特性的测试。
4.根据权利要求2所述的一种基于石墨烯纳米墙的柔性温度传感器的制备方法，其特征在于：所述S1采用铜箔作为基底。
5.根据权利要求2所述的一种基于石墨烯纳米墙的柔性温度传感器的制备方法，其特征在于：所述制作电极采用的方法包括热蒸镀、直流磁共溅射、丝网印刷、光刻。
6.根据权利要求2所述的一种基于石墨烯纳米墙的柔性温度传感器的制备方法，其特征在于：所述聚合物是根据聚合物种类采用热固化或紫外固化法来进行固化。
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