[发明专利]一种LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种LED芯片，其特征在于，包括：轴向依次设置的PSS衬底、缓冲层、N型半导体层、发光层、P型半导体层、透明导电层和保护层，其中，

在所述透明导电层上设有P电极，该P电极轴向延长至贯穿所述保护层，所述N型半导体层上设有N电极，在所述P电极和N电极之间设有轴向直至所述PSS衬底的凹槽，该凹槽的横截面为圆形、椭圆形或正多边形；

所述芯片中还设有切割道，该切割道内设有切割道深槽，所述切割道深槽位于所述N电极、P电极的横向延长线上，轴向延伸至所述PSS衬底，

所述切割道深槽和凹槽是采用电感耦合等离子体刻蚀的切割道深槽和凹槽，其中，所述刻蚀的工艺参数为：ICP功率为500W，RF功率为80W，腔体压力为5mtorr，BCl₃流量为10sccm，Cl₂流量为50sccm，刻蚀时间为25-45min；

所述透明导电层，是通过蒸发台或者溅射镀膜法镀在所述P型半导体层上，然后经过匀胶、软烤、曝光、显影以及坚膜后，用ITO蚀刻液腐蚀出图形，放入去胶液中浸泡15min，将所述芯片表面的光刻胶洗净，冲水甩干后得到的透明导电层；

所述P电极以及N电极，是分别通过蒸发台或者溅射镀膜法分别设置在所述透明导电层以及所述N型半导体层上，然后通过金属剥离的方法去除不需要部分的金属，放入去胶液中浸泡15min，将所述芯片表面的光刻胶洗净，冲水甩干后得到的P电极以及N电极；

所述保护层，是通过等离子体增强化学气相沉积法沉积出的保护层。

2.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述凹槽在横截面方向上最大宽度为5-20微米，该凹槽的轴向深度为5-10微米。

3.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述切割道深槽在横截面方向上的最大宽度为5-15微米，所述切割道深槽的轴线深度为5-10微米。

4.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述P电极和N电极均为反射电极结构，所述反射电极结构为镍/铝结构或镍/银结构，其连接线为金属线，其焊线为金。

5.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述透明导电层为氧化铟锡薄膜，所述保护层为二氧化硅保护层。

6.一种LED芯片的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

沿轴线方向，依次将缓冲层设置在PPS衬底上、将N型半导体层设置在所述缓冲层上、将发光层设置在所述N型半导体层上、将P型半导体层设置在所述发光层上；

采用电感耦合等离子体刻蚀切割道深槽和凹槽，所述刻蚀的工艺参数为：ICP功率为500W，RF功率为80W，腔体压力为5mtorr，BCl3流量为10sccm，Cl₂流量为50sccm，刻蚀时间为25-45min；

清洗后，依次经过匀胶、软烤、曝光、显影、坚膜后采用电感耦合等离子体刻蚀形成芯片，所述刻蚀过程的工艺参数为：ICP功率为500W，RF功率为80W，腔体压力为5mtorr，BCl₃流量为10sccm，Cl₂流量为50sccm，刻蚀时间为5-10min，取出放入去胶液中浸泡15min，将所述芯片体表面的光刻胶洗净，冲水甩干；

将透明导电层通过蒸发台或者溅射镀膜法镀在所述P型半导体层上，然后经过匀胶、软烤、曝光、显影以及坚膜后，用ITO蚀刻液腐蚀出图形，放入去胶液中浸泡15min，将所述芯片表面的光刻胶洗净，冲水甩干；

将所述芯片经过匀胶、软烤、曝光、硬烤以及显影制作出图形，将P电极以及N电极分别通过蒸发台或者溅射镀膜法分别设置在所述透明导电层以及所述N型半导体层上，通过金属剥离的方法去除不需要金属的部分的金属，放入去胶液中浸泡15min，将所述芯片表面的光刻胶洗净，冲水甩干；

将所述芯片的外部通过等离子体增强化学气相沉积法沉积出保护层，通过匀胶、软烤、曝光、显影以及坚膜后用BOE腐蚀出图形，放入去胶液中浸泡15min，将所述芯片表面上的光刻胶洗净，冲水甩干，得到芯片产品；

其中，所述凹槽为设置在所述P电极和N电极之间，轴向直至所述PSS衬底的凹槽，该凹槽的横截面为圆形、椭圆形或正多边形；

所述切割道深槽为位于所述N电极、P电极的横向延长线上，轴向延伸至所述PSS衬底。