[发明专利]以TpySi为补角体制备的笼型低聚倍半硅氧烷及其稀土发光材料有效
申请号: | 201410657671.5 | 申请日: | 2013-01-11 |
公开(公告)号: | CN104530115B | 公开(公告)日: | 2017-06-06 |
发明(设计)人: | 李焕荣;陈晓凡;张盼宁 | 申请(专利权)人: | 河北工业大学 |
主分类号: | C07F7/21 | 分类号: | C07F7/21;C09K11/06 |
代理公司: | 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙)12210 | 代理人: | 赵凤英 |
地址: | 300401 天津市*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | tpysi 补角 体制 笼型低聚倍半硅氧烷 及其 稀土 发光 材料 | ||
1.一种以TpySi为补角体制备的笼型低聚倍半硅氧烷,其特征为其结构式为:
其中,上面结构式中
,。
2.如权利要求1所述的以TpySi为补角体制备的笼型低聚倍半硅氧烷的制备方法,其特征为包括如下步骤:
按摩尔比1,3,5,7,9,11,14-七异丁基三环[7.3.3.15,11] 七硅氧烷-内-3,7,14-三醇:TpySi=1:1的配比,其中,1,3,5,7,9,11,14-七异丁基三环[7.3.3.15,11] 七硅氧烷-内-3,7,14-三醇简称为T,将T用三氯甲烷溶解后加入反应器,TpySi用四氢呋喃溶解后同时加入反应器中,惰性环境下60℃加热、搅拌4.5h,得到以TpySi为补角体的笼型低聚倍半硅氧烷,记作T-TpySi。
3.一种以TpySi为补角体制备的笼型低聚倍半硅氧烷/稀土离子发光材料,其特征为其结构式为:
其中,上面结构式中
,;
稀土离子Ln为Nd3+、Sm3+、Eu3+、Gd3+、Ho3+、Er3+、Yb3+、Tm3+或Dy3+。
4.如权利要求3所述的以TpySi为补角体制备的笼型低聚倍半硅氧烷/稀土离子发光材料的制备方法,其特征为包括如下步骤:
将上述以TpySi为补角体制备的笼型低聚倍半硅氧烷与稀土氯化物按摩尔比T-TpySi:稀土氯化物=2:1的配比,其中,TpySi为补角体制备的笼型低聚倍半硅氧烷简称为T-TpySi;将T-TpySi和稀土氯化物均加入反应器中,用三氯甲烷作溶剂使其溶解,85℃加热、搅拌4.5h,得到以TpySi为补角体制备的笼型低聚倍半硅氧烷/稀土离子发光材料。
5.如权利要求4所述的以TpySi为补角体制备的笼型低聚倍半硅氧烷/稀土离子发光材料的制备方法,其特征为所述的稀土氯化物为NdCl3、SmCl3、EuCl3、GdCl3、HoCl3、ErCl3、YbCl3、TmCl3或DyCl3。
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