[发明专利]基于环形谐振腔可调延迟的全光缓存器

权利要求书

1.一种基于环形谐振腔可调延迟的全光缓存器，其特征在于，该全光缓存器包括，待缓存光信号（10）、第零2×2光耦合器（20）、第一一至第N一2×2光耦合器（11、21、…、N1）、第一二至第N二2×2光耦合器（12、22、…、N2）、第一至第N光相位调制器（1111、1112、…、111N）、第一至第N单模光纤（1121、1122、…、112N）、第一、第二光隔离器（50）、（60）、比特发生器（40）、光示波器（30）；

所述各器件的连接如下： 

所述的待缓存信号（10）与第零2×2光耦合器的第一端口（201）相连，第零2×2光耦合器的第三端口（203）经第一光隔离器（50）与第一环形谐振腔缓存单元的输入端口相连，构成光信号的输入部分；

光示波器（30）与第零2×2光耦合器的第二端口（202）相连，第零2×2光耦合器的第四端口（204）经第二光隔离器（60）与第N环形谐振腔缓存单元的输出端口相连，构成光信号的输出部分；

第一环形谐振腔缓存单元的输出端口与第二环形谐振腔缓存单元的输入端口相连，第二环形谐振腔缓存单元的输出端口与第三环形谐振腔缓存单元的输入端口相连，……, 第N-1环形谐振腔缓存单元的输出端口与第N环形谐振腔缓存单元的输入端口相连，构成光信号的缓存部分；

比特发生器（40）的第一至第N输出端口分别与第一至第N光相位调制器（1111、1112、…、111N）的调制端口相连，构成光信号的延迟调控部分；

第一环形谐振腔缓存单元由第一一2×2光耦合器（11）、第一二2×2光耦合器（12）、第一光相位调制器（1111），第一单模光纤（1121）器件组成；其组成器件的连接：第一一2×2光耦合器的第一端口（111）为第一环形谐振腔缓存单元的输入端口，第一二2×2光耦合器的第一端口（121）为第一环形谐振腔缓存单元的输出端口；第一一2×2光耦合器的第二端口（112）经第一单模光纤（1121）与第一二2×2光耦合器的第二端口（122）相连，第三端口（113）与第一光相位调制器（1111）的光输入端口相连，第一光相位调制器（1111）的光输出端口与第一二2×2光耦合器的第三端口（123）相连，第四端口（114）与第一二2×2光耦合器的第四端口（124）相连；

第二环形谐振腔缓存单元由第二一2×2光耦合器（21）、第二二2×2光耦合器（22）、第二相位调制器（1112），第二单模光纤（1122）器件组成；其组成器件的连接：第二一2×2光耦合器的第一端口（211）为第二环形谐振腔缓存单元的输入端口，第二二2×2光耦合器的第一端口（221）为第二环形谐振腔缓存单元的输出端口；第二一2×2光耦合器的第二端口（212）经二单模光纤（1122）与第二二2×2光耦合器的第二端口（222）相连，第三端口（213）与第二光相位调制器（1112）的光输入端口相连，第二光相位调制器（1112）的光输出端口与第二二2×2光耦合器的第三端口（223）相连，第四端口（214）与第二二2×2光耦合器的第四端口（224）相连；

……；

第N环形谐振腔缓存单元由第N一2×2光耦合器（N1）、第N二2×2光耦合器（N2）、第N相位调制器（111N），第N单模光纤（112N）器件组成；其组成器件的连接：第N一2×2光耦合器的第一端口（N11）为第N环形谐振腔缓存单元的输入端口，第N二2×2光耦合器的第一端口（N21）为第N环形谐振腔缓存单元的输出端口；第N一2×2光耦合器的第二端口（N12）经第N单模光纤（112N）与第N二2×2光耦合器的第二端口（N22）相连，第三端口（N13）与第N光相位调制器（111N）的输入端口相连，第N光相位调制器（111N）的输出端口与第N二2×2光耦合器的第三端口（N23）相连，第四端口（N14）与第N二2×2光耦合器的第四端口（N24）相连；

1≤N≤20的整数；

第一至第N单模光纤（1121、1122、…、112N）的长度均在50cm～50m范围之间；

光信号的输入部分、光信号的缓存部分、光信号的延迟调控部分、光信号的输出部分，构成基于环形谐振腔可调延迟的全光缓存器。

2.根据权利要求1所述一种基于环形谐振腔可调延迟的全光缓存器，其特征在于，所述的比特发生器（40）输出为由0或1组成的N比特码，共有2^N种码型。

3.根据权利要求1所述一种基于环形谐振腔可调延迟的全光缓存器，其特征在于，所述的光相位调制器（1111、1112、…、111N）在0码控制时的相位均为0，在1码控制时的相位均为π；或在0码控制时的相位均为π，在1码控制时的相位均为0。