[发明专利]一种储存装置的制造方法在审
申请号: | 201410653465.7 | 申请日: | 2014-11-14 |
公开(公告)号: | CN104867930A | 公开(公告)日: | 2015-08-26 |
发明(设计)人: | 施彦豪;陈治平;赖昇志 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L21/8247 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 储存 装置 制造 方法 | ||
1.一种储存装置的制造方法,包括:
形成与多个绝缘层交错的一第一导电材料的数层在一集成电路基板上;
刻蚀所述数层以界定在第一组沟槽之间的第一组叠层的导电条带,其中所述第一组叠层中的一叠层具有大于一目标宽度的两倍的宽度;及
刻蚀所述第一组叠层以将所述第一组叠层中的每个叠层分为第二组叠层的导电条带中的两个叠层,其中所述第二组叠层中的每个叠层,是界定在所述第一组沟槽中的一第一沟槽以及第二组沟槽中的一第二沟槽之间,其中所述第二组叠层中的一叠层具有等于所述目标宽度的宽度。
2.根据权利要求1所述的储存装置的制造方法,更包括:
在界定所述第一组叠层之后并在界定所述第二组叠层之前,
形成一第一储存层在所述第一组沟槽的所述第一组叠层中的导电条带的侧表面上;以及
使第二导电材料的第一层形成在所述第一储存层上面,并具有一与所述第一储存层共形的表面。
3.根据权利要求1所述的储存装置的制造方法,更包括:
形成第二储存层在所述第二组沟槽的所述第二组叠层中的导电条带的侧表面上;以及
使第二导电材料的第二层形成在所述第二储存层上面,并具有一与所述第二储存层共形的表面。
4.根据权利要求2所述的储存装置的制造方法,更包括:
在使一第二储存层形成于所述第二组沟槽的所述第二组叠层中的导电条带的侧表面上,且使所述第二导电材料的第二层形成在所述第二储存层上面,并具有一与所述第二储存层共形的表面之后,
刻蚀所述第二导电材料的所述第一层,以界定所述第一组沟槽中的第一组传导线,所述第一组传导线是正交地配置在所述第一组叠层中的所述导电条带上面,并具有与所述第一储存层共形的表面,以界定在位于在所述第一组叠层中的所述导电条带的侧表面与所述第一组沟槽中的所述第一组传导线之间的交点的接口区域中的存储单元;
刻蚀所述第一储存层以界定所述第一组沟槽中的第一储存组成物,所述第一储存组成物正交地配置在所述第一组叠层中的所述导电条带上面,并具有与所述第一组传导线中的传导线共形的表面;
移除所述第二导电材料的所述第一层中不必要的导电材料,与所述接口区域外部以及在所述第一组沟槽中的所述第一储存层中的不必要的储存材料。
5.根据权利要求3所述的储存装置的制造方法,更包括:
在多条传导线被界定在所述第一组沟槽中之后,刻蚀所述第二导电材料的所述第二层,以界定所述第二组沟槽中的第二组传导线,所述第二组传导线正交地配置在所述第二储存层上面,并具有与所述第二储存层共形的表面,以界定在位于在所述第二组叠层中的所述导电条带的侧表面与所述第二组沟槽中的所述第二组传导线之间的交点的接口区域中的存储单元;
刻蚀所述第二储存层以界定所述第二组沟槽中的第二储存组成物,所述第二储存组成物正交地配置在所述第二组叠层中的所述导电条带上面,并具有与所述第二组传导线中的传导线共形的表面;
移除所述第二导电材料的所述第二层中不必要的导电材料,与所述接口区域外部以及在所述第二组沟槽中的所述第二储存层中的不必要的储存材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的