[发明专利]蚀刻用组合物以及使用了其的印刷电路板的制造方法在审
| 申请号： | 201410653399.3 | 申请日： | 2014-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN104651840A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 高桥健一;田代宪史 | 申请（专利权）人： | 三菱瓦斯化学株式会社 |
| 主分类号： | C23F1/18 | 分类号： | C23F1/18;H05K3/06 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 蚀刻 组合 以及 使用 印刷 电路板 制造 方法 | ||
1.一种蚀刻用组合物，其特征在于，其为基于半加成法的印刷电路板制造用化学镀铜的蚀刻用组合物，其含有过氧化氢0.2～5质量％、硫酸0.5～10质量％、苯基脲0.001～0.3质量％、卤素离子0.1～3质量ppm、以及四唑类0.003～0.3质量％，且液体温度30℃下的化学镀铜的溶解速度Y相对于电解镀铜的溶解速度X之比Y/X为4～7。
2.根据权利要求1所述的蚀刻用组合物，其特征在于，所述四唑类为选自由1-甲基四唑、1-甲基-5-乙基四唑、1-乙基-5-甲基四唑、1,5-二甲基四唑、以及1,5-二乙基四唑组成的组中的1种以上。
3.根据权利要求1或2所述的蚀刻用组合物，其含有过氧化氢0.4～2.5质量％、硫酸0.8～6.0质量％、苯基脲0.005～0.15质量％、卤素离子0.3～2.5质量ppm、以及四唑类0.005～0.02质量％。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的蚀刻用组合物，其中，液体温度30℃下的电解镀铜的溶解速度X为0.1～0.8μm/分钟，液体温度30℃下的化学镀铜的溶解速度Y为1.5～2.8μm/分钟。
5.一种印刷电路板的制造方法，其特征在于，使用含有过氧化氢0.2～5质量％、硫酸0.5～10质量％、苯基脲0.001～0.3质量％、卤素离子0.1～3质量ppm、以及四唑类0.003～0.3质量％且液体温度30℃下的化学镀铜的溶解速度Y相对于电解镀铜的溶解速度X之比Y/X为4～7的蚀刻用组合物来蚀刻去除化学镀铜。
6.根据权利要求5所述的印刷电路板的制造方法，其特征在于，所述四唑类为选自由1-甲基四唑、1-甲基-5-乙基四唑、1-乙基-5-甲基四唑、1,5-二甲基四唑、以及1,5-二乙基四唑组成的组中的1种以上。
7.根据权利要求5或6所述的印刷电路板的制造方法，其中，所述蚀刻用组合物含有过氧化氢0.4～2.5质量％、硫酸0.8～6.0质量％、苯基脲0.005～0.15质量％、卤素离子0.3～2.5质量ppm、以及四唑类0.005～0.02质量％。
8.根据权利要求5～7中任一项所述的印刷电路板的制造方法，其中，液体温度30℃下的电解镀铜的溶解速度X为0.1～0.8μm/分钟，液体温度30℃下的化学镀铜的溶解速度Y为1.5～2.8μm/分钟。
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