[发明专利]制备低比接触电阻率的p-GaN欧姆接触的方法

权利要求书

1.一种制备低比接触电阻率的p-GaN欧姆接触的方法，包括如下步骤：

步骤1：准备一衬底；

步骤2：在衬底上生长低温成核层；

步骤3：在低温成核层上生长非故意掺杂GaN层；

步骤4：在非故意掺杂GaN层上生长中度Mg掺杂的p-GaN层；

步骤5：在中度掺杂的p-GaN层上生长重掺杂的接触层，形成样品；

步骤6：对样品进行Mg激活退火；

步骤7：将样品表面进行处理，在样品表面光刻，形成图形；

步骤8：在样品的表面蒸发Ni/Au金属层；

步骤9：将多余的Ni/Au金属层剥离；

步骤10：最后Ni/Au金属层进行退火合金化，形成欧姆接触，完成制备。

2.根据权利要求1所述的制备低比接触电阻率的p-GaN欧姆接触的方法，其中衬底的材料为C面蓝宝石、SiC或GaN，厚度为200μm到1000μm。

3.根据权利要求1所述的制备低比接触电阻率的p-GaN欧姆接触的方法，其中低温成核层的材料包括GaN或AlN，厚度为10nm到30nm；若衬底选择GaN，则该层不需要。

4.根据权利要求1所述的制备低比接触电阻率的p-GaN欧姆接触的方法，其中非故意掺杂GaN层的厚度为3-5μm。

5.根据权利要求1所述的制备低比接触电阻率的p-GaN欧姆接触的方法，其中中度Mg掺杂p-GaN层的厚度为0.5-3μm。

6.根据权利要求1所述的制备低比接触电阻率的p-GaN欧姆接触的方法，其中重掺杂接触层包括重掺p-GaN薄层和重掺p-InGaN薄层，重掺p-GaN薄层的生长温度为800-1100℃，厚度为10-50nm，重掺p-InGaN薄层生长温度为600-800℃，厚度为2-20nm。

7.根据权利要求1所述的制备低比接触电阻率的p-GaN欧姆接触的方法，其中Mg激活退火，在纯氮气条件下采用500-800℃的退火温度进行激活退火，该退火温度比重掺p-InGaN薄层的生长温度低。

8.根据权利要求1所述的制备低比接触电阻率的p-GaN欧姆接触的方法，其中样品清洗的具体流程为：丙酮超声10min；酒精超声10min；盐酸超声10min。

9.根据权利要求1所述的制备低比接触电阻率的p-GaN欧姆接触的方法，其中Ni/Au金属层是通过电子束蒸发的方法蒸发的，Ni的厚度为10-40nm，Au的厚度为20-80nm。

10.根据权利要求1所述的制备低比接触电阻率的p-GaN欧姆接触的方法，其中将Ni/Au金属层退火合金化，退火温度为450-600℃，退火气氛为空气气氛，退火时间为3-20min。