[发明专利]一种准单片低噪声放大器设计方法在审
| 申请号： | 201410652034.9 | 申请日： | 2014-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN104467696A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 沈一鸣;程冰 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H03F1/32 | 分类号： | H03F1/32;H03F1/34 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210000 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 单片 低噪声放大器 设计 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种准单片低噪声放大器设计方法，其特征在于，放大器的有源器件和无源器件分别制作成管芯芯片和无源单片，两块芯片再通过焊盘和键合金线连接形成完整电路。
2.根据权利要求1所述的准单片低噪声放大器设计方法，其特征在于，所述管芯芯片内设有晶体管，所述无源单片内设有电阻、电容和电感。
3.根据权利要求2所述的准单片低噪声放大器设计方法，其特征在于，所述管芯芯片包括增强型N-pHEMT(T1)，其栅极为输入端(Pin)，源极接地。
4.根据权利要求2所述的准单片低噪声放大器设计方法，其特征在于，所述无源单片包括，第一电感(L1)的一端以及第一电容(C1)的一端连接，第一电容(C1)的另一端接地，第一电感(L1)的另一端与输出端(Pout)连接，从电源(Vcc)到地之间依次串联着第二电阻(R2)和第二电容(C2)，第二电容(C2)与第二电阻(R2)的公共端连接到输出端(Pout)，在输出端(Pout)与输入端(Pin)之间连接着作为负反馈回路的第一电阻(R1)。
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